[实用新型]背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统有效

申请号：	202320570099.3	申请日：	2023-03-16
公开（公告）号：	CN219738973U	公开（公告）日：	2023-09-22
发明（设计）人：	王永谦;刘生璞;陈刚	申请（专利权）人：	浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
主分类号：	H01L31/068	分类号：	H01L31/068;H01L31/0224
代理公司：	北京市天元律师事务所 16010	代理人：	贾振勇
地址：	322000 浙江省***	国省代码：	浙江;33
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，硅基底的背面的第二区域处形成有凹槽，在凹槽的预设位置处，第一掺杂层包括位于第一区域的第一部分和伸出至凹槽上方的第二部分，在预设位置处，第二掺杂层覆盖凹槽的底面和侧面且包饶第二部分朝向凹槽的表面和第二部分的侧面，第二掺杂层与第二部分朝向所述凹槽的表面复合接触。如此，第二掺杂层与第一掺杂层复合接触的交界区域所产生的边缘复合的影响范围较窄，可有效的提高填充因子以提高效率。并且，在预设位置处，第二掺杂层与第二部分朝向凹槽的表面复合接触，第二掺杂层与第一掺杂层的接触面积较大，可增大电注入时的电流，提升修复效率和效果。
搜索关键词：	接触太阳能电池电池组件系统
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摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，硅基底的背面的第二区域处形成有凹槽，在凹槽的预设位置处，第一掺杂层包括位于第一区域的第一部分和伸出至凹槽上方的第二部分，在预设位置处，第二掺杂层覆盖凹槽的底面和侧面且包饶第二部分朝向凹槽的表面和第二部分的侧面，第二掺杂层与第二部分朝向所述凹槽的表面复合接触。如此，第二掺杂层与第一掺杂层复合接触的交界区域所产生的边缘复合的影响范围较窄，可有效的提高填充因子以提高效率。并且，在预设位置处，第二掺杂层与第二部分朝向凹槽的表面复合接触，第二掺杂层与第一掺杂层的接触面积较大，可增大电注入时的电流，提升修复效率和效果。

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摘要：本发明公开了一种新型TOPCon电池结构及其制备工艺，关于电池技术领域，新型TOPCon电池结构包括基体，所述基体包括正面和背面，所述正面依次设置有第一氧化隧穿层、第一多晶硅层、第一氮化硅层和第一电极，所述背面依次设置有第二氧化隧穿层、第二多晶硅层、第二氮化硅层和第二电极，所述第一多晶硅层为N型多晶硅层，所述第二多晶硅层为P型多晶硅层，所述第一电极为银电极，第二电极为铝电极，基体为P型单晶硅基体，所述银电极的厚度为6～14μm，所述铝电极的厚度为6～30μm，所述银电极的宽度为15～35μm，所述铝电极的宽度为15～170μm。与现有技术相比，根据本发明的一种新型TOPCon电池结构及其制备工艺，能够大幅度降低TOPCon电池的生产成本，从而提升产品的竞争力。

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摘要：本发明提供一种耐高温高湿的新型N‑TOPCon电池及其制备方法，涉及N‑TOPCon电池加工技术领域。所述新型N‑TOPCon电池为设置常规N‑TOPCon电池正面主栅区域无氧化硅/poly硅掩膜层，而其他区域均有氧化硅/poly硅掩膜层结构。本发明克服了现有技术的不足，在发射极金属化后，选择性的在发射电极上面形成一层高绝缘性的氧化硅或者poly硅掩膜层，即保证了发射极的接触性和抗水气及金属腐蚀能力，又保证了主栅区域的高拉力性，形成一个局部高抗pid等可靠性发射电极结构，能较大的提升组件在高温高湿下的环境下的使用寿命。

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申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，硅基底的背面至少一个第二区域包括沟槽区域和非沟槽区域，非沟槽区域处形成有至少一个第一内陷区域，第一掺杂层设置在第一区域以及非沟槽区域中除第一内陷区域以外的区域上，第二掺杂层设于第一内陷区域表面，第二掺杂层与第一掺杂层复合接触，第二掺杂层与第一掺杂层的极性相反。如此，非沟槽区域上的第一掺杂层和非沟槽区域下方的第二掺杂层形成交叉，从而形成一个容易识别的定位识别点，提升了定位识别效果和准确性。通过在非沟槽区域形成第一内陷区域并在第一内陷区域处引入第一掺杂层和第二掺杂层之间的复合接触，可增强电注入效果，提高修复效率和效果。

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申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，背接触太阳能电池的硅基底的背面的P型区域内沿P型区域的长度方向形成有若干内陷区域，若干内陷区域间隔设置；接触层可包括覆盖内陷区域表面的P型掺杂层和填充在内陷区域内的铝硅合金层。钝化膜层上与内陷区域对应的位置开设有开口，内陷区域的宽度大于开口的宽度且内陷区域在厚度方向上的正投影面积大于开口在厚度方向上的正投影面积。如此，P型区域上形成的内陷区域为相互间隔设置而并非连续形成，可以有效的降低掺杂区复合和扩展电阻损失，同时，在激光开槽形成开口时，开口的大小开设得较小，有效的减少激光损伤，有效地解决电阻与激光损伤的矛盾。

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申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；设置在半导体衬底的第二表面的隧穿层、掺杂导电层和硅氧掺杂层，硅氧掺杂层对应于金属化区域，掺杂导电层的厚度为30nm～100nm；位于掺杂导电层表面的第二钝化层，第二钝化层覆盖硅氧掺杂层和非金属化区域的掺杂导电层；设置在半导体衬底的第一表面的第一钝化层，穿过第一钝化层与半导体衬底形成电连接的第一电极；穿过第二钝化层、硅氧掺杂层与掺杂导电层形成电连接的第二电极。本申请局域化硅氧掺杂层设计，能够减薄电池背面膜层的厚度，降低电池背面吸光效应的同时使得电池背面的复合电流密度较低，提升电池总体光电转换效率。

一种双面发电的高效选择性发射极晶硅电池及其制备方法-202310719206.9
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申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种双面发电的高效选择性发射极晶硅电池及其制备方法。所述电池以N/P型单晶硅片作为基体，正面依次为隧穿层，重掺杂p++/n++纳米晶化合物层，轻掺杂p+/n+纳米晶化合物层，氧化铝/氮化硅钝化层，p++/n++finger；背面依次为隧穿层，重掺杂n++/p++纳米晶化合物层，轻掺杂n+/p+纳米晶化合物层，氧化铝/氮化硅钝化层，n++/p++finger。本发明制备双面发电的高效选择性发射极晶硅电池，一方面形成正背面的全钝化接触层；可显著提升开路电压；另一方面形成选择性发射极，进一步降低了寄生光吸收。

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申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明涉及电池领域，具体涉及一种电池结构及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)在硅基片的正面沉积超薄氧化硅层和正减反层；(2)在超薄氧化硅层上生长低浓度的多晶硅层一，在多晶硅层一上生长高浓度的多晶硅层二；(3)在多晶硅层二上印刷电极一，在电极一上连接电极二，即得。本发明将与电极直接连接的部分进行高浓度硼掺杂，与遂穿层连接部分进行低浓度硼掺杂，在保证良好接触的同时，还能使得整体硼掺杂浓度降低，降低了蓝光吸收损耗与载流子表面再复合损耗，提高了光电转换效率；通过改善等离子化学气相沉积法工艺，得到的减反层的膜厚均匀，且反射率较小，增加了对光的吸收，从而可提高电池的光电转换效率。

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申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明涉及电池领域，具体涉及一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池及其制备方法，制备方法如下：(1)在衬底上沉积遂穿层；(2)在遂穿层上生长多晶硅层并进行低浓度硼掺杂；(3)掩膜保护，随之在其金属化区域进行高浓度硼掺杂，再利用激光薄化非金属区域，形成区域一和区域二；(4)在区域一上印刷烧穿型银浆料，在主栅线上印刷非烧穿型银浆料，烧穿型银浆料和非烧穿型银浆料互联。本发明通过对多晶硅前表面进行低掺杂，根据金属化图案对金属化区域进行高掺杂，用激光薄化非金属化区域，减少对长波的光寄生吸收，提高短路电流，从而提升转换效率；通过按照金属化图案印刷银浆，电极二与电极一直接连接，起到互联的作用，降低银浆耗量。

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申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本申请提供一种太阳能电池及其扩散方法，属于光伏技术领域。太阳能电池及其扩散方法，其包括：对硅片依次进行第一次预氧化处理、第一次通源处理、第二次预氧化处理、第二次通源处理和第三次通源处理。第一次预氧化处理和第二次预氧化处理的氧气通入量递增。第一次通源处理、第二次通源处理和第三次通源处理的温度和携带三氯氧磷的氮气均递增。本申请的太阳能电池的扩散方法通过两次预氧化处理和三次通源处理配合，能够制备浅结，同时改善掺杂的不均匀性，浅结能够提高太阳能电池片的蓝光响应从而提升太阳能电池的光电转换效率。

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申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明涉及电池领域，具体涉及一种叠瓦电池及其制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底上沉积遂穿层，在遂穿层上生长多晶硅层；(2)在多晶硅层上低浓度硼扩散，在正金属副栅线部位进行掩膜保护，对非掩膜区域予以薄化，形成区域一和区域二；(3)对区域二进行掩膜保护，在区域一上进行高浓度硼掺杂并在其上印刷烧穿型银浆料；(4)在主栅线上印上互联材料一，互联材料一上连接互联材料二和互联材料三。本发明采用互联材料一、二和三以此来替代银浆料，降低了银浆料的耗用量，从而降低了电池的生产成本，通过对区域一进行高浓度硼掺杂，既避免了电极处容易烧穿的问题，又降低了多晶硅层整体的吸光率，从而提高了电池的光电转换效率。

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申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件，该太阳能电池，包括：硅基底和第一电极；硅基底的其中一面沿远离硅基底的方向，依次叠层设置有隧穿氧化层、掺杂导电层和第一钝化层；第一电极贯穿第一钝化层与掺杂导电层电连接；掺杂导电层的掺杂浓度从第一电极处到相邻两个第一电极的对称轴处逐渐减小。所述掺杂导电层的掺杂浓度从所述第一电极处到相邻两个所述第一电极的对称轴处，每毫米降低范围为(1.7~17)×1019cm‑3；本发明从第一电极处到相邻两个第一电极的对称轴处，掺杂导电层的厚度不变，但总掺杂浓度逐步减少，减少了掺杂导电层的光学损失，同时减少了电流的横向传输损失，从而提高了正面电池效率和电池双面率。

联合钝化背接触太阳能电池及其基于激光扩散的制备方法-202211430990.3
发明人：林楷睿 -专利权人：金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明属于背接触太阳能电池技术领域，具体涉及联合钝化背接触太阳能电池及其基于激光扩散的制备方法，包括具有受光面和背面的硅片，还包括：在硅片的背面向外依次设置的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层和耐腐蚀膜层，掺杂多晶硅层包括轻掺杂区以及依次交替分布的N型掺杂发射极与P型掺杂发射极；P型掺杂发射极的P型掺杂区域依次经掺杂多晶硅层、隧穿氧化层延伸至硅片内，位于硅片内的P型掺杂发射极延伸部分的深度与硅片厚度之比为0.0002‑0.003。本发明能够增强对制备中高温工艺的耐受性，拓宽工艺手段，生产良率高，其制造成本大幅降低，工艺周期也大大缩短，从而实现大规模量产的目的。

高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统-201680090766.0
发明人：三田怜;渡部武纪;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/068
摘要：[问题]为了提供一种低成本、高产率、可以容易地制造的背面接触型的高光电转换效率的太阳能电池。[解决方案]在该高光电转换效率的太阳能电池中，在第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上设置：扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，和在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间形成的高电阻层或本征半导体层。

一种太阳能电池结构-202222618043.9
发明人：章海明;黄辉忠;王景凯 -专利权人：浙江正泰电器股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本实用新型公开一种太阳能电池结构，该太阳能电池结构在半导体衬底上设置沟槽，且将第一掺杂层设置在沟槽内，第一掺杂层仅上表面需要设置阻隔结构，相较于在侧面制备阻隔结构来说，在上表面能够得到厚度更大的阻隔结构，有利于提高第一阻隔层的阻隔效果；并且第一阻隔层覆盖在第一掺杂层上能够对第一掺杂层形成自然的掩膜，使得在制备第二层掺杂层过程中无需为避让第一掺杂层进行特定的图案化处理，简化了工艺步骤；第一介电层和第二介电层为不同的载流子选择性传输层，改善硅衬底表面钝化效果，提升了转换效率。

一种提升太阳能电池效率的PN结结构-202222446079.3
发明人：王重阳 -专利权人：天合光能（宿迁）光电有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本实用新型公开了一种提升太阳能电池效率的PN结结构，涉及PN结结构技术领域，包括太阳能主体，所述太阳能主体的内壁固定连接有PN结，所述PN结的内部包括有N型区、P型区和空间电荷区，所述N型区的内部设置有输通线一，所述P型区的内部设置有输通线二，所述N型区的一侧固定连接有沉积板一，所述P型区的一侧固定连接有沉积板二。本实用新型通过自由电子和空穴在N型区和P型区的内部向空间电荷区输通时，输通线二呈十字结构，可使得空穴向连接口一输通时减缓，解决了现有的PN结结构面浓度较高，结深较深，会将在PN结附近产生的光生载流子复合掉，降低了太阳能电池的Uoc、Isc，从而会影响到电池效率，影响组件发电性能的问题。

高光电转换效率太阳能电池的制造方法及高光电转换效率太阳能电池-201680090735.5
发明人：桥上洋;渡部武纪;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。

一种太阳能电池及光伏组件-202211603377.7
发明人：刘长明;金井升;张彼克;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括本体和第一电极，本体具有第一区域和第二区域，第一区域的至少部分覆盖第一电极，第二区域为本体上第一区域以外的区域；本体包括：基底、第一隧穿介质层、第一掺杂导电层和第二掺杂导电层，第一隧穿介质层设置于基底的一侧，第一隧穿介质层在第一区域的厚度大于在第二区域的厚度，第一掺杂导电层设置于第一隧穿介质层远离基底的表面，第一电极与第一掺杂导电层电连接，第二掺杂导电层位于基底靠近第一隧穿介质层的一侧，第二掺杂导电层在第一区域的厚度小于在第二区域的厚度。本申请中，太阳能电池的载流子复合减小了、载流子的横向传输能力提高了，从而提高了光电转化效率。

太阳能电池-201580082362.2
发明人：稗田健;小林正道;冈本亲扶;松本雄太;木本贤治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/068
摘要：光电转换元件具备：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，其设置于半导体基板(1)的一侧的表面的一部分；第一半导体区域，其由设置在第一i型半导体膜(2)上的第一导电型半导体膜(3)构成；以及第一电极层(9)，其设置在第一半导体区域上，所述光电转换元件具有第一导电膜(11a)，其夹装在第一半导体区域与第一电极层(9)之间的局部。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[实用新型]背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统有效

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