[实用新型]一种长晶机重掺超低阻高炉压切换装置有效
| 申请号： | 202320034126.5 | 申请日： | 2023-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN219010521U | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 吴泓明;钟佑生;陈志刚;王俊仁;万军召 | 申请（专利权）人： | 郑州合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B27/00 | 分类号： | C30B27/00;C30B27/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京动力号知识产权代理有限公司 11775 | 代理人： | 张盼 |
| 地址： | 451162 河南省郑州市航空港*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种长晶机重掺超低阻高炉压切换装置，包括真空泵、以及连接长晶机炉体以及所述真空泵的主真空管道；所述主真空管道上沿所述长晶机炉体至所述真空泵方向依次设有第一比例阀和第一球阀；所述主真空管道上在所述第一球阀的两端并联设置有直径小于所述主真空管道的副真空管道，所述副真空管道上设有第二比例阀和第二球阀。本申请提供的切换装置，可以根据实际生产需求，在低炉压和高炉压之间进行切换，满足生产重掺超低阻的硅单晶棒时对高炉压的需求，有效改善重掺超低阻的晶棒成长中晶棒阻值挥发，得到较低阻值掺值的晶棒，改善晶体的电阻率均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 长晶机重掺超低阻 高炉 切换 装置 | ||
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- 张辉;马可可;夏宁;王嘉斌;刘莹莹;杨德仁 - 浙江大学杭州国际科创中心
- 2021-10-22 - 2022-03-01 - C30B27/00
- 本发明提供了一种拼接坩埚及氧化镓晶体生长方法，包括：坩埚主体，可拆卸底座，第一套环，第二套环，第一套环与所述坩埚主体之间具有锥度配合，以使得坩埚主体相互闭合。本发明在熔体法晶体生长结束后可以有效的实现坩埚和晶体分离，避免了在取晶阶段对氧化镓晶体的破坏，为大尺寸氧化镓晶体的产业化提供了更优方案。
- 氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法-202111460474.0
- 唐为华;李山 - 北京镓和半导体有限公司
- 2021-12-02 - 2022-02-25 - C30B27/00
- 一种氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法。所述方法包括：在控制温度条件下生长氧化镓晶体，且将氧化镓的生长温度划分成至少两个的温度区间，对每一个温度区间设置不同的生长气氛。本发明的方法将氧化镓单晶制备过程中的温度细分为多个区间，通过不同温区气氛比例的精确控制，达到抑制原料分解挥发和铱金坩埚氧化挥发的目的，从而降低设备损耗，提高单晶质量，降低生产成本。本发明操作简单有效，成本低廉，有利于氧化镓单晶的工业化生产和科研探索。
- 一种适用于多光谱的光学晶体材料制备技术设备-201810392960.5
- 李瑞峰 - 东莞市三嘉光学科技有限公司
- 2018-04-27 - 2019-06-04 - C30B27/00
- 本发明公开了一种适用于多光谱的光学晶体材料制备技术设备，包括固定底板，所述固定底板上端面的左侧设置有一密封箱体，所述密封箱体内部设置有一密封空间，所述密封空间下端壁的前侧固定设置有一加热装置所述密封箱体上端面的中间位置处连接有一进气管，所述密封空间内部端壁处缠绕分布有一冷却槽，所述冷却槽内部分布有一冷却管，所述密封空间左端壁的中间位置处内嵌式安装有一温度感应器，所述固定底板上端面的右侧设置有一研磨装置。本发明工作中，智能调控密封空间内的温度，满足反应过程中温度变化的要求，提高生产质量，反应完成后，连续加工，减少密封空间内的温度和氮气外泄，节约资源，减少加工成本。
- 热交换晶体生长系统、冷却气体流量控制方法及装置-201410436153.0
- 徐永亮;廖永建;汪海波 - 苏州恒嘉晶体材料有限公司
- 2014-08-29 - 2018-11-09 - C30B27/00
- 本发明提供了一种冷却气体流量控制方法，所述的冷却气体流量控制方法用于热交换晶体生长系统的冷却气体流量控制，所述的方法包括以下步骤：11)获取冷却气体热交换后的温度以及冷却气体当前流量；12)根据冷却气体热交换后的温度和预设传热速率计算冷却气体目标流量；13)调节冷却气体当前流量趋向于冷却气体目标流量。本发明还提供了一种冷却气体流量控制装置，以及具有该装置的热交换晶体生长系统。上述方案能够解决目前通过冷却气体流量‑时间关系曲线控制冷却气体流量来实现晶体生长所存在适应性和晶体一致性较差的问题。
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