[发明专利]一种超结碳化硅NPN型三极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202311115042.5 | 申请日： | 2023-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN116936358A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 傅信强;周理明;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/732;H01L29/06 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种超结碳化硅NPN型三极管及其制备方法。涉及半导体技术领域。本发明与传统SiC BJT相比，增益系数从150提升到160@Ic=100mA、Vce=10V；耐压BVcbo从1200V提升到2200V@Ic=100mA。原因是在承担耐压时，P柱以及P柱间的N‑漂移区可以充分耗尽，在整个漂移区被完全耗尽后就相当于一个本征层，因此器件反向耐压时，漂移区内部即存在纵向电场，也存在着横向电场。当所加漏电压达到碳化硅的临界击穿电场强度时，器件就会发生雪崩击穿。在两个柱区满足电荷平衡的条件下，超结能够承担的击穿电压与柱区的厚度成正比。另外发射结正偏、集电结反偏时，发射极发射的电流除了同样可以穿越基区到达集电区外，两端的P柱也因为极电结反偏将P柱中的少数电子移动到集电区中，起到提高增益系数的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 npn 三极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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