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[发明专利]一种超结碳化硅NPN型三极管及其制备方法-CN202311115042.5在审
发明人： 傅信强;周理明;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种超结碳化硅NPN型三极管及其制备方法。涉及半导体技术领域。本发明与传统SiC BJT相比，增益系数从150提升到160@Ic=100mA、Vce=10V；耐压BVcbo从1200V提升到2200V@Ic=100mA。原因是在承担耐压时，P柱以及P柱间的N‑漂移区可以充分耗尽，在整个漂移区被完全耗尽后就相当于一个本征层，因此器件反向耐压时，漂移区内部即存在纵向电场，也存在着横向电场。当所加漏电压达到碳化硅的临界击穿电场强度时，器件就会发生雪崩击穿。在两个柱区满足电荷平衡的条件下，超结能够承担的击穿电压与柱区的厚度成正比。另外发射结正偏、集电结反偏时，发射极发射的电流除了同样可以穿越基区到达集电区外，两端的P柱也因为极电结反偏将P柱中的少数电子移动到集电区中，起到提高增益系数的作用。
一种碳化硅 npn 三极管及其制备方法

[实用新型]减小高频电流崩塌效应的GaN-HEMT器件-CN202320871883.8有效
发明人：代书雨;傅信强;周理明;徐峰;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：减小高频电流崩塌效应的GaN‑HEMT器件，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的衬底、AlN间隔层、Al组分渐变缓冲AlGaN层、掺C高阻GaN层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、AlN阻挡层和隔离层；所述GaN沟道层和AlN阻挡层之间，位于D极欧姆接触金属、S极欧姆接触金属外侧设有ISO隔离区；所述AlN阻挡层上设有位于隔离层内的掺Mg P‑GaN盖帽层；所述掺Mg P‑GaN盖帽层的顶部设有与之相连，并位于隔离层内的G电极肖特基接触金属；本实用新型避免了因为AlGaN势垒层过刻，导致器件在高频下动态电阻相比静态电阻比值大，造成严重的高频电流崩塌效应。
减小高频电流崩塌效应 gan hemt 器件

[发明专利]一种自对准栅金属增强型GaN-HEMT器件及其制备方法-CN202310421714.9在审
发明人：代书雨;傅信强;周理明;徐峰;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种自对准栅金属增强型GaN‑HEMT器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。本发明提出的一种自对准栅金属增强型GaN‑HEMT器件的制备方法，具有以下优点：采用自对准工艺制备栅极，使栅金属边缘和P‑GaN边缘对齐；1、避免了由于光刻的精度、对齐误差导致肖特基金属和P‑GaN位置偏差，造成肖特基金属部分挂在P‑GaN侧壁，与AlGaN势垒层接触，形成漏电通道；2、避免了部分P‑GaN上方不存在肖特基金属，以及该现象造成的减弱栅极对器件的控制能力，影响器件的跨导，减弱栅下导电通道的能力，影响器件的通流能力的问题，显著提高了器件的栅极控制能力和电流密度值。
一种对准金属增强 gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]刻蚀自终止的GaN HEMT器件结构-CN202320871879.1有效
发明人：代书雨;周理明;徐峰;傅信强;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：刻蚀自终止的GaN HEMT器件结构，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的衬底、AlN间隔层、Al组分渐变缓冲AlGaN层、掺C高阻GaN层、GaN沟道层、AlN插入层、多层AlGaN势垒层和隔离层；所述GaN沟道层和多层AlGaN势垒层之间，位于D极欧姆接触金属、S极欧姆接触金属外侧设有ISO隔离区；所述多层AlGaN势垒层上设有位于隔离层内的掺Mg P‑GaN盖帽层；所述掺Mg P‑GaN盖帽层的顶部设有与之相连，并位于隔离层内的G电极肖特基接触金属；本实用新型避免了因为AlGaN势垒层过刻，导致器件在高频下动态电阻相比静态电阻比值大，造成严重的高频电流崩塌效应。
刻蚀终止 gan hemt 器件结构

[实用新型]高集成度增强型GaN-HEMT-CN202320733516.1有效
发明人： 傅信强;代书雨;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：高集成度增强型GaN‑HEMT。涉及半导体器件。本实用新型通过优化GaNHEMT的外延生长方法以及后续制备工艺，实现制备相同耐压，更小尺寸GaNHEMT器件或相同尺寸，更高耐压的目的。通过在高阻的氮化镓耐压层上生长规则排布的的AlN层作为凸台，后续在此凸台基础上生成均匀厚度的GaN沟道层和AlGaN势垒层，使用台阶仪检测AlGaN势垒层高点Z方向高度Z0，此时对外延片进行填充重掺杂的多晶硅，再使用平坦工艺刻蚀刻蚀到之前记录的Z0高度处，再继续生长P型GaN帽层，后续进行栅极区域的刻蚀，并制备肖特基金属、再在漏源区域制备欧姆金属，实现在相同的耐压下、大大缩减器件尺寸的目的。
集成度增强 gan hemt

[发明专利]一种具有刻蚀自终止效果的GaN-HEMT器件的制备方法-CN202310416017.4在审
发明人：代书雨;周理明;徐峰;傅信强;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种具有刻蚀自终止效果的GaN‑HEMT器件的制备方法，涉及半导体技术领域。包括以下步骤：S100，在衬底上依次制备AlN间隔层、Al组分渐变缓冲AlGaN层和掺C高阻GaN层、GaN沟道层和AlN插入层；S200，在AlN插入层上依次制备多层AlGaN势垒层；S300，在多层AlGaN势垒层上制备掺Mg P‑GaN盖帽层；S400，在外延片上对栅极区域外进行掺Mg P‑GaN盖帽层刻蚀并沉积隔离层；S500，对外延片上无源区进行ISO隔离；S600，在外延片上制备D极欧姆接触金属、S极欧姆接触金属；S700，在外延片上制备G电极肖特基接触金属和G极Pad金属；S800，在外延片上制备S极场板，G、S、D极Pad金属；S900，在外延片上制备隔离层和G、S、D极Pad开窗。本发明避免造成严重的高频电流崩塌效应。
一种具有刻蚀终止效果 gan hemt 器件制备方法

[发明专利]一种高功率密度的增强型GaN-HEMT制备方法-CN202310357525.X在审
发明人： 傅信强;代书雨;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种高功率密度的增强型GaN‑HEMT制备方法。涉及半导体器件。本发明通过优化GaNHEMT的外延生长方法以及后续制备工艺，实现制备相同耐压，更小尺寸GaNHEMT器件或相同尺寸，更高耐压的目的。通过在高阻的氮化镓耐压层上生长规则排布的的AlN层作为凸台，后续在此凸台基础上生成均匀厚度的GaN沟道层和AlGaN势垒层，使用台阶仪检测AlGaN势垒层高点Z方向高度Z0，此时对外延片进行填充重掺杂的多晶硅，再使用平坦工艺刻蚀刻蚀到之前记录的Z0高度处，再继续生长P型GaN帽层，后续进行栅极区域的刻蚀，并制备肖特基金属、再在漏源区域制备欧姆金属，实现在相同的耐压下、大大缩减器件尺寸的目的。
一种功率密度增强 gan hemt 制备方法

[发明专利]一种防止AlGaN过刻蚀的GaN-HEMT器件的制备方法-CN202310416018.9在审
发明人：代书雨;傅信强;周理明;徐峰;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种防止AlGaN过刻蚀的GaN‑HEMT器件的制备方法，包括以下步骤：S100，在衬底上依次制备AlN间隔层、Al组分渐变缓冲AlGaN层和掺C高阻GaN层；S200，在掺C高阻GaN层上依次制备GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层；S300，在AlGaN势垒层上依次制备AlN阻挡层和掺Mg P‑GaN盖帽层；S400，在外延片上对栅极区域外进行掺Mg P‑GaN盖帽层刻蚀并沉积隔离层；S500，对外延片上无源区进行ISO隔离；S600，在外延片上制备D极欧姆接触金属、S极欧姆接触金属；S700，在外延片上制备G电极肖特基接触金属和G极Pad金属；S800，在外延片上制备S极场板，G、S、D极Pad金属；S900，在外延片上制备钝化层和G、S、D极Pad开窗。本发明避免了造成严重的高频电流崩塌效应。
一种防止 algan 刻蚀 gan hemt 器件制备方法

[发明专利]一种GaN-HEMT器件漏电通道的检测方法-CN202211516843.8在审
发明人：代书雨;周理明;徐峰;傅信强;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种GaN‑HEMT器件漏电通道的检测方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤:S100，设置一系列偏置电压，测量器件栅极驱动漏电流，记为IGSS；S200，设置一系列偏置电压，测量器件饱和漏源电流，记为IDSS；S300，根据测量的IGSS值和IDSS值判断器件是否存在漏电通道；S310，测量获得的IGSS值超过标准规格书中GaN‑HEMT器件的IGSS正常值一个数量级时，判定为IGSS不良品，说明其GS两电极之间有漏电通道；本发明可以利用功率器件检测仪进行操作，避免了使用EBIRCH等传统方法需要使用芯片级贵重分析仪器的高费用，而且相比较传统检测方法方便快捷、简单省时。
一种 gan hemt 器件漏电通道检测方法

[发明专利]一种快速筛选分立器件高温漏电的方法-CN202211688886.4在审
发明人：郑忠庆;傅信强;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：一种快速筛选分立器件高温漏电的方法。涉及二极管漏电管控方法。包括以下步骤：S100，获得二极管VF‑Tj关系曲线；S200，测试温下二极管的的VF1值；S300，测试出常温下二极管的IR1值；S400，给二极管通大电流加热；S500，测试出高结温下二极管的IR2；S600，测试出高结温下二极管的VF2；S700，根据Tj给定筛选范围。本发明采用一种快速筛选分立器件高温漏电的方法，并根据此方法搭建一个电路，电路中通过控制四个开关的状态，分别组成三个回路（分别为IR测试回路，VF测试回路，Ifp加热回路），以实现快速筛选器件高温漏电的目的。
一种快速筛选分立器件高温漏电方法

[实用新型]GaN HEMT低功耗模块-CN202222574542.2有效
发明人： 傅信强;郑忠庆;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：GaN HEMT低功耗模块。涉及半导体器件。包括：框架本体；e‑GaN HEMT，所述e‑GaN HEMT固定设置在框架上，其漏极连接在框架本体上，其两源极分别与相应的引脚连接；GaN SBD，所述GaN SBD固定设置在框架上，其阳极端连接到框架本体上，阴极端连接到e‑GaN HEMT的源极实现与e‑GaN HEMT并联；监控器一，所述监控器一固定设置在框架上，其两监控端分别连接GaN SBD的两端，监测GaN SBD和e‑GaN HEMT并联回路的电压；电容，所述电容固定设置在框架上，将所述电容的高压端通过铝线连接到电荷泵的输出端，电容的低压端连接到框架本体上；本实用新型拥有更大的框架PAD面积用于合封，并且散热更好。
gan hemt 功耗模块

[实用新型]一种新型Si基GaN凹槽栅型垂直导电器件-CN202221629766.2有效
发明人：代书雨;傅信强;叶士杰;檀称进;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种新型Si基GaN凹槽栅型垂直导电器件。涉及一种半导体器件，尤其涉及一种新型Si基GaN凹槽栅型垂直导电器件。包括从下而上依次连接的源电极、Si衬底、缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；所述漏电极位于器件的端部，从上而下通过AlGaN势垒层后，伸入GaN本征层；器件的中部设有从AlGaN势垒层延伸至衬底的U型槽；所述U型槽内设有SiO2薄膜；所述SiO2薄膜与U型槽的内侧壁之间从下而上依次设有P型Si和N型Si；所述SiO2薄膜的中部设有多晶硅。本实用新型具有以下优点：将器件源极置于底部，节约了芯片表面源极PAD区域面积；避免了目前主流的P‑GaN增强型器件刻蚀引起的界面态问题和高频电流崩塌效应，从而推动Si基GaN HEMT在电力电子领域的发展和应用。
一种新型 si gan 凹槽垂直导电器件

[实用新型]Si基SIPOS钝化的GaN HEMT器件-CN202221854719.8有效
发明人：叶士杰;檀称进;代书雨;傅信强;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型器件依次为Si衬底、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型GaN层和栅极；AlGaN势垒层上形成的源极和漏极，源极和栅极之间形成的SIPOS钝化层、漏极和栅极之间形成的SIPOS钝化层以及整个器件上方的氮化硅钝化层。在传统GaNHEMT器件的源栅漏之间利用SIPOS进行钝化保护，利用SIPOS膜的特性，能够缓和由于刻蚀产生的AlGaN势垒层表面缺陷对器件阈值漂移，和电流崩塌效应。同时，SIPOS还能产生空间电荷区屏蔽外加电场，平整器件横向电场，提高器件横向耐压。
si sipos 钝化 gan hemt 器件

[实用新型]稳定型碳化硅二极管器件-CN202221318465.8有效
发明人：赵耀;刘圣前;杨程;原江伟;傅信强;陈鸿骏;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：稳定型碳化硅二极管器件。涉及半导体器件技术领域，尤其涉及稳定型碳化硅二极管器件。包括导电底板，所述导电框架呈板状，底部设有向下延伸的第一引脚；第二引脚，所述第二引脚间隔设置在所述第一引脚的一侧；第三引脚，所述第三引脚间隔设置在所述第一引脚的另一侧；FRD芯片，所述FRD芯片键合设置在所述导电底板上，与所述第二引脚电性连接；和SIC芯片，所述SIC芯片键合设置在所述导电底板上，位于所述FRD芯片的侧部，与所述第三引脚电性连接。与传统的引线键合技术相比，芯片键合处接触面积翻倍，优点是：正向通流能力和正向浪涌能力提升。
稳定碳化硅二极管器件

[发明专利]一种利用TVS管漏电进行测试的方法-CN202210484843.8在审
发明人：原江伟;傅信强;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种利用TVS管漏电进行测试的方法。涉及一种半导体加工技术领域。包括以下步骤：步骤A：将双向TVS二极管放置在控制炉中；步骤B：设置控制炉的初始温度值、结束温度值和步进温度值；并将控制炉与信号发生器连接，通过信号发生器将控制炉升至的温度数值向功率器件测试仪传输；步骤C：在功率器件测试仪中设置漏电IR测试参数；步骤D：启动功率器件测试仪，获取温度T和漏电IR的对应关系，并转换成对应函数；步骤E：将N‑MOS器件、电阻、电压源、电流表和双向TVS二极管串联形成加热回路；本发明可查看器件的壳温和环境温度，通过耗散功率公式:P=（Tj‑Ta）/Rth，P=（Tj‑Tc）/Rth即可分别计算出芯片结到壳的热阻和芯片结到环境的热阻。
一种利用 tvs 漏电进行测试方法

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