[发明专利]选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列在审
| 申请号： | 202310463168.5 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116940218A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李泓儒;张国彬;丁裕伟;陈佑昇;陈庆恩;黄国钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10N79/00;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列，选择器结构包含底部电极、第一切换膜和第一顶部电极。底部电极包含底部低热导率金属和第一底部高热导率金属。第一切换膜位于底部电极上且具有可通过电场切换的电阻率。第一顶部电极在第一切换膜上且包含第一顶部低热导率金属和第一顶部高热导率金属。 | ||
| 搜索关键词： | 选择器 结构 记忆体 单元 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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