[发明专利]具有穿过栅极结构的深阱注入的LDMOS晶体管在审
| 申请号： | 202310409315.0 | 申请日： | 2023-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN116959989A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | A·萨多夫尼科夫;M-Y·庄;J·陈 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 李尚颖 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及具有穿过栅极结构的深阱注入的LDMOS晶体管。一种晶体管制造方法包含在具有第一导电类型的半导体衬底之上形成栅极结构。对所述栅极结构之上的光致抗蚀剂层进行图案化，以从所述栅极结构的未被覆盖部分及所述半导体衬底的与所述栅极结构的所述未被覆盖部分邻接的相邻区之上移除所述光致抗蚀剂层。使用第一掺杂剂以使得所述第一掺杂剂穿透所述栅极结构的所述未被覆盖部分以及被所述光致抗蚀剂层阻挡来形成具有所述第一导电类型的深阱区。通过注入第二掺杂剂以使得所述第二掺杂剂穿透所述相邻区以及被所述栅极结构的所述未被覆盖部分阻挡来形成浅阱区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿过 栅极 结构 注入 ldmos 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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