[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202310215736.X | 申请日： | 2023-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN116801616A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;邓杰芳 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：多个沿第一方向及第二方向间隔排布的有源柱，每一有源柱沿第三方向延伸，且包括位于有源柱中的沟槽以及由沟槽分隔成的两个分立的有源部，有源柱具有相对的第一面和第二面，有源部的顶面为第一面，有源柱的底面为第二面；多个存储电容，每一存储电容与一有源部的顶面电连接；字线，字线沿第二方向延伸，且绕沿第二方向排布的一列有源部的部分侧壁设置；位线，位线沿第一方向延伸，且与沿第一方向延伸的一列有源柱的第二面电连接；导电互连层，导电互连层位于位线背离有源柱的上方，且导电互连层与存储电容位于位线相对的两侧。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310215736.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
