[发明专利]一种HfO2 在审
| 申请号： | 202310051946.X | 申请日： | 2023-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN116313814A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 廖敏;蒋拥权;曾斌健 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙) 44686 | 代理人： | 徐员兰 |
| 地址： | 4111*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种HfO |
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| 搜索关键词： | 一种 hfo base sub | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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