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[发明专利]一种HfO2-CN202310051946.X在审
发明人：廖敏;蒋拥权;曾斌健 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种HfO2基铁电场效应晶体管存储器件均一性优化方法，包括：制备一个圆柱状的绝缘层，在所述绝缘层外围上增加一个空心圆柱状的沟道层，在所述沟道层外围上增加一个空心圆柱状的第二绝缘层，在所述第二绝缘层外围上增加一个空心圆柱状的HfO2基铁电薄膜层，在所述绝缘层两端，分别增加空心圆柱状的源极层、空心圆柱状的漏极极层；形成HfO2基铁电场效应晶体管存储器件。本发明所述的HfO2基铁电场效应晶体管存储器件均一性优化方法可以有效的改变阈值的漂移、存储窗口的变化，从而改良HfO2基铁电场效应晶体管存储器的均一性。
一种 hfo base sub

[发明专利]一种HfO2-CN202310088121.5在审
发明人：郑帅至;裴碧波;曾斌健;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种HfO2基铁电存储器的编程操作方法，包括：给HfO2基铁电存储器施加第一编程电压脉冲，使所述HfO2基铁电存储器以第一存储模式工作，给所述HfO2基铁电存储器施加第二编程电压脉冲，使HfO2基铁电存储器可以继续以第二存储模式工作。本发明所述的HfO2基铁电存储器的编程操作方法可以有效的增加HfO2基铁电存储器的存储次数，提高HfO2基铁电存储器的存储性能，并且将所述HfO2基铁电存储器可以具备多次可编程、单次可编程两种不同的编程特性。
一种 hfo base sub