[发明专利]薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202280017872.1 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN116941046A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 今村千寻;伊藤学 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 薄膜晶体管的栅极绝缘层由第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜构成，所述第一栅极绝缘膜由有机高分子化合物或有机无机复合材料构成，所述第二栅极绝缘膜由选自氧化硅、氮化硅、氧氮化硅及氧化铝中的任一种构成且被第一栅极绝缘膜和半导体层夹持。第一栅极绝缘膜的厚度为100nm以上且1500nm以下，第一栅极绝缘膜的厚度与杨氏模量之积为300nm·GPa以上且30000nm·GPa以下。第二栅极绝缘膜的厚度为2nm以上且30nm以下，第二栅极绝缘膜的厚度与杨氏模量之积为100nm·GPa以上且9000nm·GPa以下。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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