[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202211280701.6 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN116504785A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 金胜圭;朴容喜;申东官;金大新;金相溶;柳主馨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;肖学蕊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案，其位于有源图案上并且包括竖直地堆叠并且彼此间隔开的半导体图案；源极/漏极图案，其连接到半导体图案；栅电极，其位于半导体图案上并且在第一方向上延伸；以及栅极绝缘层，其位于半导体图案与栅电极之间。半导体图案中的第一半导体图案包括在第一方向上的相对的侧表面、以及底表面和顶表面。栅极绝缘层覆盖相对的侧表面以及底表面和顶表面，并且包括位于第一半导体图案的相对的侧表面中的一个上的第一区域以及位于第一半导体图案的顶表面和底表面中的一个上的第二区域，并且第一区域的厚度可以大于第二区域的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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