[发明专利]一种制造高通量样品和梯度功能材料的装置和方法在审
| 申请号： | 202210539125.6 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114934312A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 谭黎明;刘锋;黄岚;刘咏 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C30B11/10 | 分类号： | C30B11/10;C30B29/52;C30B11/00 |
| 代理公司： | 武汉知律知识产权代理事务所(普通合伙) 42307 | 代理人： | 田常娟 |
| 地址： | 410017*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造高通量样品和梯度功能材料的装置和方法，属于金属材料制备技术领域。具体来说，化学成分空间分布连续可调的镍基单晶高温合金试样的制备方法，能够实现镍基单晶试样、梯度功能材料的成分梯度分布，可以在同一试样或构件中的不同位置实现毫米、厘米级的成分梯度变化，该方法既能满足材料研发所需的高通量实验的需求，加速实验数据的获取和材料设计，还能实现梯度功能材料的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 通量 样品 梯度 功能 材料 装置 方法 | ||
【主权项】：
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- 赵有文;段满龙 - 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
- 2018-12-29 - 2019-04-05 - C30B11/10
- 本发明公开了一种晶体生长用双层坩埚，涉及晶体生长技术领域，该双层坩埚包括用于放置原材料的上坩埚与用于晶体生长的下坩埚；所述上坩埚设置在所述下坩埚的上方，上坩埚底部外周与下坩埚开口外周密封连接；所述上坩埚底面设置有通向所述下坩埚的漏料孔；所述上坩埚与下坩埚均为热解氮化硼坩埚。在VB法生长磷化铟材料过程中的应用，采用双层坩埚结构，以及使用该双层坩埚的晶体生长工艺，能够使磷化铟多晶原料与掺杂剂S充分均匀的混合，缩小了生长出S‑InP单晶的载流子浓度范围，单根晶体纵向载流子浓度偏差可以控制在(3‑6)x1018/cm3，获得了高质量、高均匀性的晶体，并且单晶的出片率提高了5％。
- 一种晶体生长系统-201810885880.3
- 蒋子博 - 上海怡英新材料科技有限公司
- 2018-07-28 - 2018-11-30 - C30B11/10
- 本发明涉及晶体生长系统。该晶体生长系统包括晶体生长加料装置和晶体生长坩埚，该晶体生长加料装置包括加料坩埚、温控加热系统和加料导管，其中，温控加热系统用于加热并控制加料坩埚的温度，加料坩埚位于晶体生长坩埚上方，加料导管用于将加料坩埚中的熔化的晶体生长原料输送到晶体生长坩埚中。本发明的晶体生长系统能够克服了现有技术中的晶体生长系统的诸多缺陷。例如，本发明能够方便地控制加料坩埚内及导管内原料熔液流入晶体生长坩埚的流量；能够使得晶体生长坩埚中晶体生长过程稳定；本发明还能解决加料时的加料溶液凝结而导致的加料不畅问题。同时，本发明的晶体生长系统能够结构简单，操作方便，能够大大降低了设备成本和生产成本。
- 一种焰熔法生长晶体的燃烧器-201820199841.3
- 周文平;毕孝国;刘旭东;蔡云平;唐坚;孙旭东 - 沈阳工程学院
- 2018-02-05 - 2018-10-23 - C30B11/10
- 本实用新型一种焰熔法生长晶体的燃烧器，包括：锥形送料口、中心管、氢气入口、外部氧气入口、氢气环形管道、外部氧气环形管道、晶体生长室以及晶体生长基座，锥形送料口与中心管连接，粉体和氧气从锥形送料口送入中心管，中心管外设置氢气环形管道，氢气环形管道通过与其连接的氢气入口充入氢气，氢气环形管道外设置外部氧气环形管道，外部氧气环形管道通过其连接的外部氧气入口充入氧气，中心管、氢气环形管道、外部氧气环形管道的末端均与晶体生长室相连通，生长室内设置晶体生长基座。本实用新型的优点能够大幅度减少燃烧器的径向和轴向的压力分布，使氧气径向分布更加均匀，减少晶体氧空位，大幅提高晶体生长的尺寸和均匀性，提高晶体质量。
- 一种焰熔法数控晶体生长炉-201721611398.8
- 毕孝国;周文平;唐坚;刘旭东;孙旭东 - 沈阳工程学院
- 2017-11-28 - 2018-06-26 - C30B11/10
- 本实用新型属于新材料领域，为一种焰熔法数控晶体生长炉，包括:晶体生长系统，包括晶体生长炉、穿入晶体生长炉内，用于作为晶体生长的载体的晶体生长基座杆，通过电机带动传动丝杠传递至晶体晶体生长基座杆做上下运动的升降速度控制机构；原料供应系统，包括锥形原料仓，在所述原料仓内设置筛网，所述原料仓的进料口安装有筛网振动机构；燃料供应系统，通过管线连接至生长室；数字控制系统，向升降速度控制机构、筛网振动振幅控制机构、筛网振动频率控制机构以及进气系统发出控制信号，并用于设置控制参数。本实用新型能够生长出微观结构完整的高品质的高温下特别是熔体状态下具有分解倾向的高温氧化物单晶体，如钛酸锶、金红石等单晶体。
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