[发明专利]内嵌交叉结构的亚阈值P-P-N型10管存储单元在审
| 申请号： | 202210498979.4 | 申请日： | 2022-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN115206377A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 温亮;孟增辉;左开伟;路士兵;卫国华 | 申请（专利权）人： | 中国人民武装警察部队海警学院 |
| 主分类号： | G11C11/415 | 分类号： | G11C11/415;G11C11/416 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315801 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种内嵌交叉结构的亚阈值P‑P‑N型10管存储单元，包括一对内嵌交叉结构的交叉耦合P‑P‑N型反相器、两组NMOS传输管、四个存储结点、字线WL、写字线WWL和一对位线，第一P‑P‑N型反相器包括第一PMOS管、第二PMOS管和第一NMOS管，第二P‑P‑N型反相器包括第三PMOS管、第四PMOS管和第二NMOS管，第一组NMOS传输管包括第三NMOS管和第四NMOS管，第二组NMOS传输管包括第五NMOS管和第六NMOS管；优点是能够在亚阈值电压下工作，具有非常高的读、写噪声容限，不容易受到噪声的干扰，不需要额外配备读、写辅助电路，具有较高读、写稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 交叉 结构 阈值 10 存储 单元 | ||
【主权项】：
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