[发明专利]一种流水线SRAM及其运算方法在审
申请号: | 202110517429.8 | 申请日: | 2021-05-12 |
公开(公告)号: | CN113140246A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 王镇 | 申请(专利权)人: | 南京博芯电子技术有限公司 |
主分类号: | G11C11/415 | 分类号: | G11C11/415;G11C11/416 |
代理公司: | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人: | 汪丽红 |
地址: | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种流水线SRAM及其运算方法,属于专用集成电路设计技术领域。流水线SRAM包括:双字线存储单元、字线控制电路、时钟电路、电容共享型复制位线电路;采用双字线存储单元,解决了SRAM连续读操作时字线重叠引起的时序问题,有效地降低了SRAM读写操作延时。同时,通过电容共享型复制位线电路降低灵敏放大器使能延时变化,提高了电路的抗工艺偏差能力,从而提升了SRAM的性能和能效。流水线SRAM将一次SRAM操作划分为三个步骤进行,因此解决了低电压下SRAM性能恶化的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 流水线 sram 及其 运算 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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