[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210367737.1 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN116936532A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王晓娟;张浩;许增升;段超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 郭学秀 |
| 地址： | 300380 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底的顶部形成有导电层，所述导电层的顶部形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有贯穿所述层间介电层的开口，所述开口露出所述导电层的顶面；在所述开口的底部和侧壁形成保护层；形成所述保护层之后，在所述开口的剩余空间中形成互连插塞；形成所述互连插塞之后，对所述层间介电层、保护层和互连插塞进行平坦化处理。所述保护层能够降低研磨液沿着所述互连插塞与层间介电层的交界面渗透进所述导电层的概率，相应的，也就降低了对所述导电层造成损伤的概率，从而提高了所述半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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