[发明专利]双极性响应双色探测器、其制备方法及应用在审

申请号：	202210328223.5	申请日：	2022-03-30
公开（公告）号：	CN114695430A	公开（公告）日：	2022-07-01
发明（设计）人：	陈体威;张晓东;马永健;张宝顺	申请（专利权）人：	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号：	H01L27/16	分类号：	H01L27/16;H01L31/18;H01L35/34
代理公司：	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256	代理人：	王锋
地址：	215123 江苏省苏州市***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请揭示了一种双极性响应双色探测器、其制备方法及应用。所述探测器包括：第一光吸收层，其能够吸收第一波长域的光并基于光伏效应形成光生载流子；第二光吸收层，其能够吸收第二波长域的光并基于光热电效应形成光生载流子，所述第二光吸收层与第一光吸收层配合形成pn异质结；第一电极，其与第一光吸收层电性接触，且所述第一电极与第二光吸收层间隔设置；第二电极，其与第二光吸收层电性接触。本申请的双色探测器具有集成度高、双极性响应、能耗低等优点，且操作简单，准确度高，对简化光通信系统的设计和实现高效率信号调制方案而言具有极大的意义。
搜索关键词：	极性响应探测器制备方法应用
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摘要：本发明属于红外探测技术领域，涉及一种热电阵列显示器及其制备方法，该热电阵列显示器至少包括第一像素点，第一像素点包括底部电极、P型热电腿、N型热电腿以及顶部电极；P型热电腿设置在底部电极上；P型热电腿通过顶部电极与N型热电腿串联。本发明提供了一种信息传递隐蔽性强、可有效减少设备发热以及可实现远距离信号传输的热电阵列显示器。

热成像传感器、传感器以及热成像设备-202122970031.8
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申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本公开的实施例涉及热成像传感器、传感器和热成像设备。该热成像传感器包括多个感测元件，每个感测元件包括至少一个热电偶。热成像传感器集成在绝缘体上半导体体部上，对该绝缘体上半导体体部进行图案化以限定从基底悬置的栅格；对于每个感测元件，栅格具有带有热电偶冷接点的框架、带有热电偶热接点的板以及从框架支撑板的一个或多个臂。框架包括一个或多个由导热材料制成的传导层，用于使冷接点与基底热平衡。此外，每个感测元件还可以包括集成在相应框架上的用于热电偶的处理电路。还提出了包括热成像传感器和相应的信号处理电路的热成像设备，以及包括一个或多个热成像设备的系统。利用本公开的实施例有利地显著减小了热成像传感器的尺寸。

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申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明提供了一种热偶式高灵敏度微波功率传感芯片，包括：衬底，在衬底上刻蚀背腔，在背腔上方设有热电堆，所述热电堆的上方设有共面波导，所述共面波导包括中央导带线和接地板，所述中央导带线中复合嵌套薄膜电阻，构成中央导带复合嵌套薄膜电阻结构，所述中央导带复合嵌套薄膜电阻结构与所述接地板连接。所述热电堆由若干个相邻热电偶彼此相互串联沿共面波导接地板内轮廓等间隔顺序排列构成，并引出直流电压连接线。

双极性响应双色探测器、其制备方法及应用-202210328223.5
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申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本申请揭示了一种双极性响应双色探测器、其制备方法及应用。所述探测器包括：第一光吸收层，其能够吸收第一波长域的光并基于光伏效应形成光生载流子；第二光吸收层，其能够吸收第二波长域的光并基于光热电效应形成光生载流子，所述第二光吸收层与第一光吸收层配合形成pn异质结；第一电极，其与第一光吸收层电性接触，且所述第一电极与第二光吸收层间隔设置；第二电极，其与第二光吸收层电性接触。本申请的双色探测器具有集成度高、双极性响应、能耗低等优点，且操作简单，准确度高，对简化光通信系统的设计和实现高效率信号调制方案而言具有极大的意义。

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摘要：一种微型热电器件，属于半导体器件技术领域。本实用新型包括底部陶瓷板、顶部陶瓷板、以及设置在底部陶瓷板和顶部陶瓷板之间的多片单片基底，单片基底并列堆叠设置，且相邻两片单片基底之间相连，底部陶瓷板通过焊接涂层与单片基底的底部固定连接，顶部陶瓷板通过焊接涂层与单片基底的顶部固定连接。本实用新型采用微型热电器件的面内结构来制作单片基底，相较于传统热电器件的π型结构，具有热电臂长、利于建立温差、微型化等特点，有利于高度集成产业的应用。本实用新型将单片基底并列堆叠集成化，在增加热电单元的PN结数、提高输出功率的同时限制尺寸的增加，从而同时获得较高的温差和较大的传热面积，有利于温差发电的商业化应用。

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申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本公开的实施例涉及热成像传感器及其框架中的处理电路。提出了一种热成像传感器。该热成像传感器包括多个感测元件，每个感测元件包括至少一个热电偶。热成像传感器集成在绝缘体上半导体体部上，对该绝缘体上半导体体部进行图案化以限定从基底悬置的栅格；对于每个感测元件，栅格具有带有热电偶冷接点的框架、带有热电偶热接点的板以及从框架支撑板的一个或多个臂。框架包括一个或多个由导热材料制成的传导层，用于使冷接点与基底热平衡。此外，每个感测元件还可以包括集成在相应框架上的用于热电偶的处理电路。还提出了包括热成像传感器和相应的信号处理电路的热成像设备，以及包括一个或多个热成像设备的系统。

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申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明公开了一种基于Bi2O2Se的超高精度温度‑辐射热传感器及信号去耦合方法。本发明采用高迁移率半导体Bi2O2Se作为有效层制备了基于Bi2O2Se的场效应晶体管式器件，实现了高灵敏度、高分辨率的多模态温度‑辐射热传感器，其制备工艺与现有CMOS工艺完全兼容，可以实现大规模集成。利用该多模态温度‑辐射热传感器对于温度信号和光信号的响应频率不同，本发明还提出了一种随机共振去耦合的方法用于多模态传感输出信号的区分，较传统滤波算法更为准确，能够实现光热信号的高精度采集与解析。

一种基于Bi2-202111281360.X
发明人：贺明;蔡其峰;刘鋆灵;谭聪伟;彭海琳;黎明;张兴;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态感存算一体系统及其实现方法。本发明将多个Bi2O2Se场效应晶体管集成在一起，基于器件的多模态传感特性、多模态突触可塑性和非线性抑制神经元特性，分别作为传感器、突触器件和神经元器件使用，由此构建多模态感存算一体系统，从而实现同种材料相同器件结构的传感模块、存储模块以及计算模块的片上一体化集成。

热电发电机-201680062102.3
发明人：达尼洛·马斯科洛;安东涅塔·布欧希奥罗;朱塞佩·拉泰沙;朱塞佩·加玛瑞诺;马尔科·朱斯蒂;伊塔洛·吉森 -专利权人：德尔塔蒂研究财团
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/16
摘要：一种具有基座硅晶片和覆盖硅晶片的紧凑尺寸的热电发电机，具有被构造成用于提高热能到电能的转化效率的简单结构，使得由于每单位表面的热量大于现有技术设备薄膜而也有可能转换为电流，其中覆盖硅晶片面对所述基座硅晶片，使得相应顶部触点接触并且覆盖硅晶片和基座硅晶片之间的空间是形成真空的空间或者存在气体，特别是空气的空间。

一种红外热堆传感器-202023269998.5
发明人：韩凤芹 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本实用新型提供了一种红外热堆传感器，包括：承载基板；热电堆结构，所述热电堆结构设置于所述承载基板的上方，所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体，所述热堆主体用于接收红外辐射；热敏电阻，设置于所述承载基板的下表面或埋设于所述承载基板中，所述热敏电阻位于所述热堆主体外侧。本实用新型的红外热堆传感器将热敏电阻设置在承载基板的下表面或埋设于承载基板中，在承载基板上形成热电堆结构，热电堆结构和热敏电阻设置于同一承载基板上，可以实现热敏电阻与热电堆的更好的集成，满足小型化的要求。

一种红外热堆传感器及其制造方法-202011606307.8
发明人：韩凤芹 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明提供了一种红外热堆传感器及其制造方法，其中，红外热堆传感器包括：承载基板；热电堆结构，所述热电堆结构设置于所述承载基板的上方，所述热电堆结构包括至少由一组热电偶对构成的热堆主体，所述热堆主体用于接收红外辐射；热敏电阻，设置于所述承载基板的下表面或埋设于所述承载基板中，所述热敏电阻位于所述热堆主体外侧。本发明的红外热堆传感器将热敏电阻设置在承载基板的下表面或埋设于承载基板中，在承载基板上形成热电堆结构，热电堆结构和热敏电阻设置于同一承载基板上，可以实现热敏电阻与热电堆的更好的集成，满足小型化的要求。

GaN功率器件及其可靠性测试方法-202010248096.9
发明人：张晓东;魏星;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明公开了一种GaN功率器件及其可靠性测试方法。所述GaN功率器件包括主要由依次叠设的第一、第二半导体层组成的异质结，形成在异质结上的薄膜热敏层和相应的栅极、源极和漏极；其中，源极和漏极通过异质结内的二维电子气电连接，从而形成功率器件模块；而薄膜热敏层还与正极、负极电性连接，从而形成温度传感模块。较之现有技术，本发明可以基于同一基底进行功率器件模块与温度传感模块的同时制备，实现两者的单片集成，获得具有改良结构的GaN功率器件，从而能够更好的达成对GaN功率器件的热管理，显著提高GaN功率器件的工作稳定性和可靠性。

集成热电发电机及相关的制造方法-201780067199.1
发明人：法比奥·斯帕齐亚尼;恩里科·尤利亚内拉;达里奥·纳尔杜奇;达尼洛·马斯科洛;安东涅塔·博希奥罗;朱塞佩·莱特莎;伊塔洛·吉森 -专利权人：德尔塔蒂研究财团
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L27/16
摘要：采用完全兼容标准前端CMOS或BiCMOS技术的工艺可以制造平面外热通量构造的集成热电发电机，如果悬挂在谷上方的平面非导电覆盖层的部分具有足够大的通孔以使各向同性的蚀刻溶液或蚀刻等离子体跨非导电覆盖层(9)的厚度穿过通孔，从而实现空隙空间。发电机还包括沉积在所述平面非导电覆盖层(9)的自由表面上、朝向相对于所述空隙空间的相对方向的顶盖层(11)，以封闭非导电覆盖层(9)的通孔(10)。还公开了一种制造平面外热通量构造的集成热电发电机的方法。

硅集成的平面外热通量热电发电机-201580051207.4
发明人：达尼洛·马斯科洛;安东涅塔·布欧希奥罗;朱塞佩·拉泰沙;格奥尔格·普克尔;米赫尔·古林扬;西蒙尼·狄·马尔科 -专利权人：德尔塔蒂研究财团
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/16
摘要：增强的电场利用在基板晶片(1)上的平面外热通量构造的集成热电发电机(iTEG)实现，其中基板晶片(1)具有连接多晶半导体片段的限定薄膜线的交替p‑掺杂和n‑掺杂的片段(4，5)的并置端的山顶接头金属触点(7)和谷底接头金属触点(6)，其在具有比所述热电活性多晶半导体的热导率低的热导率的材料的山丘(3)的倾斜相对侧翼上延伸，通过使山丘(3)当中的谷空间(V)保持为空的并且由平面不导电覆盖物(8)限定在顶部，具有限定在耦合表面上的金属键合焊盘(10)，适于与相应的山顶接头金属触点(7)键合。接头金属触点(6，7)具有低纵横比的横截面轮廓，其中两个臂或翼与片段的并置端部分重叠。优选地，内部空隙在包装iTEG时被抽空。

晶片级热电能量收集器-201811096766.9
发明人：陈宝兴;P·M·马克吉尼斯;W·A·拉尼;J·康奈特 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明涉及晶片级热电能量收集器。集成电路可以包括基板和形成在基板上的介电层。多个p型热电元件和多个n型热电元件可设置在介电层内。p型热电元件和n型热电元件可以串联连接，并同时在p型和n型热电元件之间交替。

一种基于铋铜硒氧热电薄膜横向热电效应的光探测器-201510262247.5
发明人：王淑芳;吴晓琳;闫国英;王莲;王江龙;傅广生 -专利权人：河北大学
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L27/16
摘要：一种基于铋铜硒氧热电薄膜横向热电效应的光探测器，包括横向热电元件，在横向热电元件上表面设置两个对称的金属电极作为电压信号输出端，用电极引线将横向热电元件电压信号输出端与电压表输入端相连接，其特征在于：所述的横向热电元件包括氧化物单晶基片和在氧化物单晶基片上c轴倾斜生长的铋铜硒氧薄膜，所述的金属电极设置在铋铜硒氧薄膜的上表面。本发明的基于铋铜硒氧薄膜横向热电效应的光探测器不需要制冷，响应波段宽，探测灵敏度高，能同时实现光和热同时探测。

晶片级热电能量收集器-201410591544.X
发明人： W·A·拉尼;陈保兴 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明涉及晶片级热电能量收集器。一种集成电路可包括衬底和形成在衬底上的介电层。多个p型热电元件和多个n型热电元件可以被布置在电介质层内。该p型热电元件和n型热电元件可以串联连接，并在p型和n型热电元件之间交替。

晶片规模热电能量收集器-201410007637.3
发明人：陈宝兴 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L27/16
摘要：一种集成电路可以包括基板和形成于所述基板上的电介质层。多个p型热电元件和多个n型热电元件可被布置于所述电介质层内。p型热电元件和n型热电元件可以串联连接，同时在p型热电元件和n型热电元件之间交替。

制备发电器件的方法、发电器件和供电设备-201680003772.8
发明人：王明;闫正;曹彤彤 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L27/16
摘要：一种制备发电器件的方法、发电器件和供电设备。该方法包括首先制备第一电极(101)、功能层(103)和第二电极(102)，功能层被制备在第一电极和第二电极之间；再通过第一电极和/或第二电极对功能层施加电信号，在功能层内部形成导电细丝(104,204)，该导电细丝的导电率大于功能层的导电率，该导电细丝的两端分别与第一电极和第二电极电性连接。在第一电极与第二电极之间存在温差时，利用热电效应，使得通过导电细丝在第一电极与第二电极之间迁移载流子，在第一电极与第二电极之间产生电势差。

一种高灵敏横向热电光探测器-201510089047.4
发明人：王淑芳;孙丽卿;闫国英;傅广生;李晓苇 -专利权人：河北大学
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明公开了一种高灵敏横向热电光探测器，属于探测设备技术领域，结构中包括单晶基片及覆于单晶基片上的横向热电元件，关键在于所述的横向热电元件为在单晶基片上沿c轴倾斜生长的层状钴氧化物金属纳米复合热电薄膜，在复合热电薄膜上表面设置两个金属电极，两个金属电极借助导线与电压表输入端相连。本发明探测器制备简单、成本低廉、响应灵敏度高、响应时间快、能实现宽光谱探测和热辐射探测。

成像装置、电子装置、光电池和制造成像装置的方法-201110419442.6
发明人：久保井信行;本乡一泰 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L27/16
摘要：在此提供成像装置、电子装置、光电池和制造成像装置的方法。所述成像装置包含：成像单元，其中接收光接收面上的入射光的多个像素布置在衬底的成像区域中，所述像素包括热电偶器件组，其中多个热电偶沿着光接收面对齐，在所述热电偶器件组中，多个热电偶布置为彼此分离，以使得光接收面具有格栅结构，并且所述热电偶器件组布置为使得入射光入射至格栅结构，从而使得在光接收面上发生等离子体共振，并且由于发生等离子体共振的热电偶器件组的一部分的温度的变化而在多个热电偶的每一个中产生电动势。

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摘要：本发明涉及一种用于利用至少一个热元件来相互转换热能和电能的热电换能器。所述换能器具有至少一个由具有不同微柱材料的微柱组成的三维微结构。微柱材料具有不同的塞贝克系数（热电动势）。相互平行布置的微柱的微柱直径从0.1μm至200μm的范围中选择。这些微柱分别具有处于20至1000的范围中的纵横比。此外，这些微柱作为热电偶相互耦合以构造热电压。为了制造所述微结构如下进行：a)提供具有模板材料的模板，其中模板具有基本上与热电换能器的微结构相反的三维模板结构，所述模板结构包括柱状的模板空腔，b)将微柱材料布置在柱状空腔中，使得形成微柱，以及c)至少部分地去除模板材料。作为模板优选采用硅晶片。为了提供模板采用PAECE（光辅助电化学蚀刻）方法。利用本发明可以实现针对热辐射的高灵敏的检测器。

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申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明提供一种用于在包括由链接器件电互连的多个元件的三维集成结构内产生电功率的方法，方法包括，作为所述元件(CI1、CI2)中的至少一个的操作结果，在链接器件的至少一个区域内产生温度梯度(GDT)，并且使用至少一个热电发电器(GEN)产生电功率，热电发电器包括热电偶的至少一个组件，热电偶串联地电连接并且并联地热连接的，并且被包括在受到所述温度梯度的所述区域内。

一种复合式纳米发电机及其制备方法-201210455410.6
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申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明提供一种复合式纳米发电机，包括压电纳米发电机和热电发电机，其中，所述压电纳米发电机，用于将机械能转化为电能；所述热电发电机，用于将伴随机械能产生的热能转化为电能；所述热电发电机设置在所述压电纳米发电机的上方或下方，与所述压电纳米发电机之间形成上下堆叠结构。相应地，本发明还提供一种复合式纳米发电机的制备方法。在外界施加的机械能使压电纳米发电机中的压电层产生形变将机械能转化为电能的同时，伴随机械能产生的热能将被热电发电机吸收后转化为电能，因此，本发明提供的复合式纳米发电机集成了压电纳米发电机和热电发电机，可以同时收集环境中的机械能和热能。

高功率热电转化模块的大规模集成芯片及其制造工艺-201310229188.2
发明人：金安君 -专利权人：苏州荷达新能源技术有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明揭示了一种高功率热电转化模块的大规模集成芯片及其制造工艺。该高功率热电转化模块的大规模集成芯片，在低温区和高温区均具有热电臂-阻挡层-电极的基础结构，在中温区具有热电臂-电极的基础结构，其特征在于所述集成芯片中的基础结构为微米级，其中在低温区的基础结构具有(Bi,Sb)2Te3基N型或P型的热电臂，在中温区的基础结构具有PbTe基N型或P型的热电臂和至少为Cu、In、Au、多孔Ni的电极；在高温区的基础结构具有CoSb3基N型或P型的热电臂，并对应不同的热电臂材料灵活选用性能更匹配的阻挡层和电极。通过采用相对成熟的半导体工艺可实现热电芯片的微米级制造。本发明提高了热电芯片的功率密度，降低了生产成本，适于规模化、批量化生产。

微型热电器件、制作方法及包括其的温差发电机-201310232020.7
发明人：金安君;彭文博;刘大为 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明提供了一种微型热电器件、制作方法及包括其的温差发电机。该微型热电器件包括：第一基板，设置有图案化的第一电极层；第一阻挡层，设置在第一电极层上；二氧化硅层，设置在第一基板和第一阻挡层上；热电元件，设置在二氧化硅层中；图案化的第二阻挡层，设置在二氧化硅层和热电元件上；第二电极层，设置在图案化的第二阻挡层上；以及第二基板，设置在第二电极层上。本发明提供的微型热电器件的结构适于半导体集成工艺技术，解决了目前微米级热电器件产业化过程中存在的难以实现大规模精密加工的问题。

单片热电模块-201080061421.5
发明人：马修·L·斯卡林 -专利权人：阿尔法贝特能源公司
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L27/16
摘要：一种用于热电应用的单片装置包括一个或多个第一热电元件和一个或多个第二热电元件，其分别包括基板材料的第一图案化部分和第二图案化部分。每个第一/第二热电元件被配置成功能化为热电优值ZT大于0.2的n/p型半导体。部分地功能化为热隔离和/或部分电互连的中间区域将第二图案化部分与第一图案化部分分开。一个或多个第一热电元件和一个或多个第二热电元件在空间上被配置成允许形成第一接触区域和第二接触区域，第一接触区域和第二接触区域分别连接到一个或多个第一热电元件中每一个和/或一个或多个第二热电元件中的每一个以形成连续电路。

热电堆线材、绕组支承件以及用于制造热电式发电机的方法和机器-200880006183.0
发明人： U·黑茨勒 -专利权人：伊莎贝尔努特·霍伊斯勒两合公司
申请日： 2008-02-20 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明涉及热电堆线材(1)、用于这种热电堆线材的绕组支承件、以及用于制造包括热电堆线材的热电式发电机的方法和机器(11)。本发明考虑了在热电堆线材(1)被卷绕时，有效的卷绕直径从热电堆线材(1)的一个绕组层改变至另一个。

集成塞贝克器件-200980128461.4
发明人：吉内什·巴拉克里什纳·皮拉伊·库查普拉克尔;约翰·亨德里克·克洛特威克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L27/16
摘要：一种集成器件包括集成在衬底(2)中的塞贝克器件(4)。发热器件(6)加热塞贝克器件(4)，从而塞贝克器件(4)生成电功率。塞贝克器件对另一器件供电，该另一器件可以是同样集成在衬底中的微电池(8)或用于冷却另一发热器件的珀耳帖效应器件。

热电半导体装置-200910005268.3
发明人：骆俊光 -专利权人：骆俊光
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L27/16
摘要：本发明是有关于一种热电半导体装置，包含一个第一导热单元、一个第二导热单元，以及多个P型与N型半导体。该第一导热单元包括一片材质为金属的第一热传板、多层间隔设置于该第一热传板的第一绝缘层，以及多片分别披覆于所述第一绝缘层的铜箔。该第二导热单元包括一片材质为金属的第二热传板、多层间隔设置于该第二热传板的第二绝缘层，以及多片分别披覆于所述第二绝缘层的铜箔。本发明由于所述热传板的材质为金属及所述绝缘层的设置，除了使所述热传板不容易碎裂损毁、降低制作难度、耐高温而提升热传效率与使用寿命外，还可以避免所述铜箔与所述绝缘层因热胀冷缩而分离或龟裂。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]双极性响应双色探测器、其制备方法及应用在审

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