[发明专利]反应腔室的清洗方法及半导体工艺方法在审
| 申请号： | 202210309917.4 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114695064A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 郭宇峰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L49/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例涉及一种反应腔室的清洗方法及半导体工艺方法。该清洗方法用于对反应腔室进行清洗，反应腔室的内壁形成有碳材料层，碳材料层的表面附着有介质材料层，所述清洗方法包括：于反应腔室内通入清洗气体，清洗气体、碳材料层及介质材料层反应形成挥发性产物，以去除介质材料层。通过在反应腔室的内壁形成有碳材料层，以及向反应腔室内通入可与碳材料层、介质材料层形成挥发性产物的清洗气体，使得吸附在碳材料层表面的介质材料层被去除掉，从而达到消除反应腔室内壁上的介质材料层掉落到反应腔室内形成颗粒沾污的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 清洗 方法 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
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