[发明专利]一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体存储器

摘要

本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体存储器，该半导体结构包括：衬底；形成于衬底上的至少一层存储结构；其中，每一层存储结构均包括位线结构和对称分布于位线结构两侧的多个电容结构，多个电容结构和位线结构均沿第一方向延伸，第一方向平行于衬底表面；形成于至少一层存储结构中的多个字线结构，且多个字线结构穿过至少一层存储结构，多个字线结构均沿第二方向延伸，第二方向垂直于衬底表面。本公开实施例提供的半导体结构具有3D结构，能够增加单位区域1T1C元件的数量，进而增加了半导体结构的存储密度。