[实用新型]推挽功率放大电路、射频前端模组及通信终端有效

专利信息
申请号: 202120661292.9 申请日: 2021-03-31
公开(公告)号: CN214900806U 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 邱皓川;胡自洁;张海兵;何森航;濮天鸿;田旭;方信维;倪建兴 申请(专利权)人: 锐石创芯(深圳)科技有限公司
主分类号: H03F3/26 分类号: H03F3/26;H03F3/20;H04B1/04
代理公司: 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 代理人: 朱业刚
地址: 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型属于放大电路技术领域,尤其涉及一种推挽功率放大电路、射频前端模组及通信终端,所述推挽功率放大电路包括初级放大电路,级间匹配电路,次级差分放大电路和调节电路;初级放大电路的输出端耦合至级间匹配电路的输入端;级间匹配电路的输出端连接次级差分放大电路的输入端;调节电路的第一端连接至级间匹配电路,调节电路的第二端接地;调节电路包括串联连接的第一电容和第一电阻。本实用新型引入包含串联连接的第一电容和第一电阻的调节电路,提高了推挽功率放大电路的稳定性,改善其线性度。
搜索关键词: 功率 放大 电路 射频 前端 模组 通信 终端
【主权项】:
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  • 2020-07-10 - 2020-10-16 - H03F3/26
  • 本发明公开了一种具有端口电压保护功能的推挽结构端口输出电路,涉及电子电路领域,该推挽结构端口输出电路在第一PMOS管和第一NMOS管之间串联二极管,在第一NMOS管的漏极与端口之间串联第二PMOS管,第二PMOS管的衬底和源极相连并连接第一NMOS管的漏极,第二PMOS管的漏极连接到端口、栅极通过第二NMOS管接地;第二PMOS管和二极管的设计可以将端口与第一NMOS管的漏极以及第一PMOS管的漏极隔离开从而保护两个MOS管,使得该端口输出电路在端口电压为负电位或远高于电源电压的情况下也能正常工作。
  • 推挽电路及其构成的增益放大电路-201710908672.6
  • 张林;王猛 - 联合汽车电子有限公司
  • 2017-09-29 - 2020-10-09 - H03F3/26
  • 本发明公开了一种推挽电路,包括:三极管一发射极接电阻一一端,其集电极接二极管一负极,其基极接三极管三集电极和二极管三负极,二极管一正极接电源端;三极管二发射极接电阻二一端,其集电极接二极管二正极,其基极接三极管四集电极和二极管四正极;三极管三、三极管四的基极分别通过稳压二极管一和电阻三、稳压二极管二和电阻四接输入端;三极管三发射极、三极管四发射极、电阻一另一端和电阻二另一端接输出端;电阻五一端接二极管三正极和二极管五正极,其另一端接电源端;电阻六一端接二极管四负极和二极管六负极,二极管二负极和电阻六另一端接地;二极管五负极和二极管六正极接输入端。本发明还公开了一种具有所述推挽电路的增益放大电路。
  • 具有可调节斜升/斜降增益以最小化或消除气爆噪声的放大器-201580057681.8
  • 张伶俐;H·王;成永捷;C·拉森 - 塞瑞斯逻辑公司
  • 2015-10-22 - 2020-09-29 - H03F3/26
  • 音频放大器的预功率级块中的可变斜升/斜降增益可以用于减少由所述音频放大器输出的可听见的气爆声和喀哒声。控制器可以在所述音频放大器的操作期间调节所述可变斜升/斜降增益。所述可变斜升/斜降增益可以被实现为在所述控制器的控制下具有斜升和斜降增益的脉冲宽度调制(PWM)调制器/发生器。所述可变斜升/斜降增益使预功率级块和反馈环路之间的所述偏移的过渡变得平滑,并因此可以通过减少在所述音频放大器的所述功率级块中被放大的所述偏移来减少可听见的气爆声和咔嗒声。
  • 一种基于MTJ器件的神经信号放大器-202010654203.8
  • 姜岩峰;李茹;姜淋馨 - 南京明尼晶磁电子科技有限公司
  • 2020-07-08 - 2020-09-25 - H03F3/26
  • 本发明公开了一种基于MTJ器件的神经信号放大器,属于生物信号处理技术领域。该放大器设置了两条放大器反馈回路,其中的伪电阻RH采用MTJ和MOS管组成,针对低于300Hz的频段内的信号,根据其幅值进行选择性的放大,即只对高脉冲的神经动作信号进行有效识别并放大。因为伪电阻RH采用MTJ和MOS管串联构成,所以缓解了MOS电流正负向不匹配的问题,噪声更低,减小了放大器的失真,还降低了对神经信号的干扰。由于伪电阻具有极高的电阻,电容C2不需要很大的面积就能实现一个很低的低频截止点,一定程度上减少了芯片面积,另外,本申请MTJ采用MEMS工艺直接制作在第四、五层金属中,也减少了芯片面积的占用。
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