[发明专利]一种判断通孔开路缺陷的方法及其应用在审
| 申请号： | 202111631600.4 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114441925A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 苏晓菁;韦亚一;粟雅娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/265 | 分类号： | G01R31/265;G01R31/54;G01N21/956;H01L21/66;G06T7/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种判断通孔开路缺陷的方法及其应用。一种判断通孔开路缺陷的方法，包括下列步骤：OPC，计算出金属层和通孔层刻蚀后的轮廓；算通孔层刻蚀后的轮廓面积S，再任选将其模拟成等面积的规则多边形；以版图设计的坐标位置为圆点，分别计算x方向和y方向的潜在开路缺陷概率；分别x方向和y方向的重叠面积比例结果与安全阈值作比较，从而通过在套刻误差分布下开路的概率P |
||
| 搜索关键词： | 一种 判断 开路 缺陷 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111631600.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法-202310856113.0
- 郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 - 中国科学院新疆理化技术研究所
- 2023-07-12 - 2023-10-27 - G01R31/265
- 本发明涉及一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法，属于半导体器件抗辐射性能测试技术领域，包括辐照前转移特性曲线测试、辐照前阈值电压提取、辐照偏置条件确定、在线辐照测试、漏端电流与阈值电压关系的提取、在线测试数据处理的步骤。本发明仅进行一个偏置电压的电流测试即可获得器件阈值电压信息，进而实现纳米工艺晶体管的高采样率测试。解决了纳米工艺晶体管总剂量辐射效应测试存在的辐射损伤信息量少，不能获得参数随辐照的连续变化的不足。
- 一种半导体材料原子点缺陷检测系统及方法-202311211822.X
- 刘津朋;张琪;陈誉;石发展;杜江峰 - 中国科学技术大学苏州高等研究院
- 2023-09-20 - 2023-10-27 - G01R31/265
- 本发明公开了一种半导体材料原子点缺陷检测系统及方法。其中，该系统包括固态电荷探针单元、光源、位移装置和信号读出装置；固态电荷探针单元为待测半导体中具有不同电荷态的缺陷单元；位移装置用于在检测过程中移动待测半导体，以使光源发出的激发光照射在待测半导体的不同位置；光源用于对固态电荷探针单元以及待测半导体的预设检测位置处施加激发光，以实现固态电荷探针单元电荷态的转换和读出；信号读出装置用于根据固态电荷探针单元的电荷态信息确定待测半导体原子点缺陷分布。本发明的技术方案采用固态电荷单元作为探针，通过对原子点缺陷的激发实现固态电荷探针单元电荷态的改变，进而实现对半导体原子缺陷空间分布的检测表征。
- 一种半导体功率器件失效点定位方法-202310598995.5
- 袁光明;南柯;王林;南亦婷 - 无锡科微半导体有限公司
- 2023-05-25 - 2023-08-11 - G01R31/265
- 本发明公开了一种半导体功率器件失效点定位方法，失效点定位方法包括以下步骤：S1、对半导体功率器件进行失效位置分析，通过增强型锁相热成像技术，定位半导体器件上的目标区域；S2、对除目标位置外的区域进行全面保护；S3、对目标区域的内部以及边缘制作多个标识，用于标记目标区域，方便进行定位；S4、通过双束扫描电镜使用惰性气体离子的细束在ELITE系统指示的位置穿透金属层成像，气体在样品上流动从而在装置上产生一个均匀的平底开口，双束扫描电镜被用来精准的停止离子铣削过程在一个适当的层内；S5、在S4步骤中，若失效点位置没有暴露，则使用纳米探测进行进一步的定位；S6、通过SEM成像FIB切割样品，直到发现失效点。
- 载流子有效扩散长度的测试方法及测试系统-202310610296.8
- 刘建平;李方直;田爱琴;杨辉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2023-05-26 - 2023-08-01 - G01R31/265
- 本发明公开了一种载流子有效扩散长度的测试方法及测试系统。所述测试方法包括：提供第一外延结构和第二外延结构；使激光分别照射产生光生载流子，扩散至多量子阱层中产生复合发光，形成光致发光光谱；基于光致发光光谱获得第一光致发光强度、第二光致发光强度；基于与对应的测试层的厚度的相关关系，计算测试层中的载流子有效扩散长度。本发明所提供的测试方法无需切割破片，更方便于实际应用，也有望用于整片多点扫描式的测试；测试成本低，方法简单，可操作性强；评估得到的是测试层中的载流子有效扩散长度，反映了外延层整体的载流子输运能力；测试得到的为垂直于外延片表面方向上的扩散长度，有利于直接反映垂直器件的载流子输运特性。
- 一种半导体激光器抗辐照损伤能力的无损预估系统及方法-202310524742.3
- 曹军胜;王双争;于松群 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2023-05-11 - 2023-08-01 - G01R31/265
- 本发明涉及半导体激光器的检测技术领域，具体提供一种半导体激光器抗辐照损伤能力的无损预估系统及方法，包括单片机控制模块、电源系统模块、激光器驱动模块、D/A转换模块、A/D采样模、端电压检测模块、光电检测模块、半导体激光器、串口通讯模块和计算机；单片机控制模块、电源系统模块、激光器驱动模块、D/A转换模块、A/D采样模块、端电压检测模块、光电检测模块及串口通讯模块集成在PCB板上；半导体激光器通过四线连接法与PCB板上的激光器驱动模块和端电压检测模块连接，串口通讯模块通过USB转串口线与计算机连接；优点在于：有效、无损的筛选，真实、全面地反映出器件的辐照损伤结果；整体过程简单高效，实用性强。
- 一种光电二极管高速响应时间测量装置-202320309709.4
- 张宇宁;蔡加法;张峰;吴少雄 - 厦门大学
- 2023-02-24 - 2023-07-21 - G01R31/265
- 一种光电二极管高速响应时间测量装置，属于传感器检测技术域。包括：脉冲激光器、光电二极管、读出电路、屏蔽外壳、光学调节架、稳压电源、可控开关、示波器；采用脉冲激光器作为测试光源，光电二极管通过特制的读出电路，将光响应电流转换成电压信号，用示波器采集光响应的脉冲信号，通过分析脉冲信号的上升和下降时间可准确测量高速光电二极管探测器的响应时间。可避免传统测量方法中，通过斩波器调制光强所引起的脉宽压缩能力有限的问题，可有效提高高速光电探测器响应时间的测量精度。适用于各种高速光电二极管探测器，其结构紧凑、操作简单方便，填补对高速光电二极管响应时间测量技术方面的空白，对光电探测器的研发和测试起到重要作用。
- 碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试系统及其测试方法-202310287355.2
- 张括;王盛凯;徐杨 - 中国科学院微电子研究所
- 2023-03-22 - 2023-06-23 - G01R31/265
- 本发明提供了一种碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试方法，其特征在于，包括：利用发光光源模块产生光束；利用监测反馈模块实时监测发光光源模块发射的光束的波长和强度，并反馈至发光光源模块；将发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学测量模块，照射碳纳米管薄膜晶体管并记录第一阶段对应的电学测试结果，第一阶段对应的电学测试结果包括将发光光源模块发射的光束按不同波段对应的多组电学测试结果；将多个阶段对应的电学测试结果输入至前置数据转换器中，整合成缺陷表征数据库。
- 大气中子导致的功率器件的失效率评估方法及装置-202010626408.5
- 彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟 - 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
- 2020-07-02 - 2023-05-23 - G01R31/265
- 本申请涉及一种大气中子导致的功率器件的失效率评估方法及装置。方法包括：获取功率器件在单能粒子源辐照下发生单粒子效应时功率器件的漏端偏压与单能粒子源的能量的对应关系，其中，功率器件偏置在关态，且功率器件的漏端连接漏端偏压，源端和栅端接地；根据功率器件的漏端偏压与单能粒子源的能量的对应关系，获取功率器件在散裂中子源辐照下的不同漏端偏压对应的单粒子效应截面；根据单粒子效应截面和功率器件应用时的环境数据获取功率器件工作在不同漏端偏压下的失效率。采用本方法能够提高评估失效率的准确性。
- 一种电子器件的宇宙射线可靠性测试结构-202223577698.2
- 潘超;朱妍旭;俞张平;沈建斌 - 嘉兴斯达半导体股份有限公司
- 2022-12-30 - 2023-05-09 - G01R31/265
- 本实用新型公开了一种经济简便的宇宙射线可靠性测试结构，属于电子器件可靠性测试技术领域；包括：一高压源，包括一高压源正极和一高压源负极；多个待测器件支路，每个所述待测器件支路连接于所述高压源正极和所述高压源负极之间，每个所述待测器件支路包括一发光二极管和与所述发光二极管串联的一待测器件。上述技术方案的有益效果是：提供一种电子器件的宇宙射线可靠性测试结构，通过发光二极管、摄影机等器件，实现宇宙射线测试结构，成本低，操作简便。
- 一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法-202211386742.3
- 贺永宁;付祥和;陶静;蔡亚辉;赵小龙;彭文博;田鸿昌;何晓宁;李阳善 - 西安交通大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
- 2022-11-07 - 2023-04-04 - G01R31/265
- 本发明公开了一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法，包括步骤：(1)对MOSFET器件进行初始阈值电压测试；(2)用电子束对上述MOSFET器件进行辐照处理，加速器件老化；(3)以设定的步长逐渐增加辐照剂量，测试并记录不同辐照剂量后器件的阈值电压；(4)对MOSFET器件进行负向高温栅偏加速老化，获得在指定高温栅偏加速应力条件A下器件阈值电压偏移量ΔV
- 一种基于界面态陷阱能级分布的图像传感器质量检测方法-202010862471.9
- 夏翠雲;张钰;逯鑫淼 - 杭州电子科技大学
- 2020-08-25 - 2023-03-31 - G01R31/265
- 本发明公开了一种基于界面态陷阱能级分布的图像传感器质量检测方法。本发明基于半物理‑半解析的建模思路描述了不同界面态陷阱能级分布下满阱容量动态变化的行为，从而解决了现有PPD满阱容量检测方法中对于界面态陷阱设计考虑不完全导致所得结果仅能反应满阱容量最大值的技术问题。本发明不仅能够更加合理、准确的预测满阱容量在不同界面态陷阱能级分布下的满阱容量的动态行为，而且本发明得到的满阱容量的值是在一段区间动态变化的，这直接关系着图像传感器的成像质量问题，通过提供PPD满阱容量的分布情况为图像传感器的电路设计提供依据。
- 扫描速度确定方法及装置、电子设备和存储介质-202211367281.5
- 杨杰 - 长鑫存储技术有限公司
- 2022-11-02 - 2023-03-14 - G01R31/265
- 本公开是关于一种扫描速度确定方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，涉及半导体生产与制造技术领域，可以应用于确定半导体的TVS扫描速度的场景。该方法包括：获取待测试半导体，对待测试半导体施加初始电压，触发待测试半导体产生电位阶跃，阶跃至恒电位态；施加初始电压基于特定扫描速度进行；对处于恒电位态的待测试半导体施加扰动电压，得到处于恒电位态下的待测试半导体的电荷状态；响应于电荷状态处于电荷活动平衡状态，将电荷活动平衡状态下的扫描速度，作为待测试半导体的目标扫描速度。本公开可以根据半导体的当前扫描速度判断半导体是否满足准静态分布，无需再多进行一次实验。
- 一种高精度玻璃晶圆自动光学检测设备-202220037353.9
- 金国善;焦涛涛 - 深圳市奈尔森科技有限公司
- 2022-01-07 - 2022-08-23 - G01R31/265
- 本实用新型公开了一种高精度玻璃晶圆自动光学检测设备，属于高精度玻璃晶圆检测技术领域，包括底座以及固定在底座顶端呈倒U型结构的龙门安装架，底座的顶端面两侧均安装有高精度玻璃晶圆输送带，龙门安装架的侧壁固定有移动轴，移动轴的两端均套接有移动安装架，移动安装架上固定有遮光筒，遮光筒中内嵌固定有位于高精度玻璃晶圆输送带上方的光学检测设备主体，底座的顶端面两侧均开设有安装槽，上述安装槽的侧壁固定有用于驱动高精度玻璃晶圆输送带的电机，底座的顶端面两侧分别设置有出料设备主体和上料箱，该高精度玻璃晶圆自动光学检测设备，便于自动对高精度玻璃晶圆主体进行检测，提升了光学检测的效率和精度。
- 半导体故障解析装置-202080074955.5
- 活洲政敬;荒田育男;伊藤能弘;石塚利道 - 浜松光子学株式会社
- 2020-11-24 - 2022-06-10 - G01R31/265
- 本发明的半导体故障解析装置(1)具备：测试器(2)，其对半导体器件(100)施加刺激信号；光源(3)，其产生照射于半导体器件(100)的照射光(L1)；固体浸没式透镜(4)，其配置于照射光(L1)的光路上；光检测部(5)，其接受反射光(L2)，并且输出对应于反射光(L2)的检测信号；光学系统(6)，其配置于光源(3)与固体浸没式透镜(4)之间，经由固体浸没式透镜(4)对半导体器件(100)出射照射光(L1)，且配置于固体浸没式透镜(4)与光学检测部(5)之间，将经由固体浸没式透镜(4)而接受的反射光(L2)出射至光检测部(5)；及计算机(7)，其利用检测信号获得与半导体器件(100)的故障部位相关的信息。光源(3)出射中心波长为880nm以上且980nm以下的照射光(L1)。固体浸没式透镜(4)由GaAs形成。
- 一种LED二极管安全性测试仪-202122949260.1
- 李俊辉;王智河 - 广州新安标技术有限公司
- 2021-11-29 - 2022-05-24 - G01R31/265
- 本实用新型公开了一种LED二极管安全性测试仪，涉及二极管加工领域，包括仪器主体，仪器主体的一侧连接有隔热挡板，仪器主体的内部分别设置有滑轨和放置架，滑轨的内部连接有滑块，放置架的顶部两侧设置有下料组件。本实用新型通过下料板、拉簧、导向杆、阻尼转轴和下料拨片，放置架取出后通过阻尼转轴向下转动放置架使放置架和下料板倾斜，之后通过拉动下料板使下料拨片向上移动将二极管拔出，二极管受下料板倾斜影响排出，同时下料板将拉簧拉伸，通过导向杆的设置对下料板进行导向使下料板的位移为直线位移，从而使下料拨片将二极管拔出时为直线拔出，以避免二极管引脚弯曲受力断裂，方便同时对多个二极管快速下料。
- 一种非接触式半导体电性故障分析法-202110748761.5
- 柳纪纶;陈荣钦;张仕欣;林荣君 - 汎铨科技股份有限公司
- 2021-07-02 - 2022-05-20 - G01R31/265
- 本发明公开了一种非接触式半导体电性故障分析法，利用一包含探针、电流放大器、反馈控制器及计算机的扫描穿隧式显微镜以非接触方式半导体样品的表面方式进行电性故障分析，其特征在于扫描穿隧式显微镜的探针放置于相对于半导体样品表面的(+)Z轴方向，施加一偏压于扫描穿隧显微镜的探针与半导体样品之间以产生一穿隧电流后沿相对于半导体样品表面的X、Y轴方向进行扫描且同时侦测半导体样品的表面所量测到的穿隧电流，穿隧电流经放大后被送到计算机进行分析，便可获得半导体样品的表面的结构轮廓、判断半导体样品中的半导体组件的电性是否故障。
- 一种判断通孔开路缺陷的方法及其应用-202111631600.4
- 苏晓菁;韦亚一;粟雅娟 - 中国科学院微电子研究所
- 2021-12-28 - 2022-05-06 - G01R31/265
- 本发明涉及一种判断通孔开路缺陷的方法及其应用。一种判断通孔开路缺陷的方法，包括下列步骤：OPC，计算出金属层和通孔层刻蚀后的轮廓；算通孔层刻蚀后的轮廓面积S，再任选将其模拟成等面积的规则多边形；以版图设计的坐标位置为圆点，分别计算x方向和y方向的潜在开路缺陷概率；分别x方向和y方向的重叠面积比例结果与安全阈值作比较，从而通过在套刻误差分布下开路的概率P
- 一种发光二极管批量质量检测设备-202110098417.6
- 周科 - 深圳市讯锋科技有限公司
- 2021-01-25 - 2022-04-26 - G01R31/265
- 本发明涉及二极管相关领域，尤其是一种发光二极管批量质量检测设备，包括机身，所述机身内设置有第一转动腔，所述第一转动腔下侧设置有第一滑动腔，所述第一滑动腔左端壁上开口朝右的设置有第二滑动腔，所述第二滑动腔内可左右滑动的设置有第一齿条，所述第一齿条右端固定设置有推块，所述第二滑动腔下侧贯通设置有第二转动腔，所述第二转动腔内可转动的设置有第一转轴，所述第一转轴表面固定设置有第一皮带轮和第一齿轮，能够实现将发光二极管从上侧掉落后平铺夹紧，平铺后有多余的发光二极管则重新运输至上侧，将夹持部分翻转使二极管接口朝下，探测器感光检测二极管是否存在质量问题，从而实现发光二极管的批量检测。
- 一种热敏探测器性能参数测试结构和测试方法-202110285398.8
- 黄鹏;傅剑宇;周琼;刘超;侯影;冯万进;陈大鹏 - 无锡物联网创新中心有限公司
- 2021-03-17 - 2022-03-15 - G01R31/265
- 本发明涉及MEMS器件性能参数测试技术领域，具体公开了一种热敏探测器性能参数测试结构，包括敏感区、悬臂梁和框架，其中，敏感区通过悬臂梁分别与两组框架连接，并悬空；框架关于敏感区左右对称设置，敏感区内设置有电阻和热敏单元，悬臂梁内设置有多条导线，框架上设置有第一电连接端口和第二电连接端口，电阻通过两组导线分别与两组第一电连接端口连接，热敏单元通过两组导线分别与两组第二电连接端口连接。本发明还公开了一种热敏探测器性能参数测试方法。本发明提供的一种热敏探测器性能参数测试结构，具有结构简单、操作方便、测量准确等特点。
- 一种小型高温超导器件测试系统-202120994553.9
- 王华兵;臧子哲;孙汉聪;吴培亨 - 南京大学
- 2021-05-10 - 2022-02-22 - G01R31/265
- 本申请公开了一种小型高温超导器件测试系统，包括固定在底板上的制冷机、压缩机、控制器和样品架；制冷机与压缩机相连用于实现测试系统的制冷；制冷机与样品架相连，所提供的冷源直接为样品架制冷；在样品架上放置硅透镜用来进行太赫兹波的引入聚焦以及辐射引出；控制器控制压缩机的运行。该测试系统采用紧凑化、一体化设计，具有小型化，便携化特点，降低了测试系统的成本，并在达到基本的测量要求的前提下，有效降低噪声，且方便易携带。整个系统能够与现有测量设备进行很好的兼容，如电流源以及相关电输运特性测量设备，能够进行太赫兹领域的相关测试，如RT降温测试，太赫兹源辐射测试，太赫兹混频检测测试等，具有很好的实用性。
- 硅片少子寿命的测试方法及装置-202010191560.5
- 张翔;冯举 - 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 2020-03-18 - 2022-02-15 - G01R31/265
- 本发明提供了一种硅片少子寿命的测试方法及装置，属于半导体技术领域。硅片少子寿命的测试装置，包括：激光发生器，用于发射激光；微波探针，用于发射微波；控制单元，用于根据待测试硅片的外延层厚度计算出角度α，并根据所述角度α调整所述硅片的位置、所述微波探针发射微波的角度以及所述激光发生器发射激光的角度，使得所述硅片与水平面之间的夹角为α，所述微波探针发射微波的方向与所述硅片垂直，所述激光发生器发射激光的方向与水平面垂直。本发明能够实现对不同厚度外延层的硅片进行少子寿命测试。
- 激光检测单元电路、激光检测集成电路及半导体芯片-202010343781.X
- 朱磊;戴山彪;肖青;孙东昱;张亚双 - 中移物联网有限公司;中国移动通信集团有限公司
- 2020-04-27 - 2021-11-12 - G01R31/265
- 本发明提供一种激光检测单元电路、激光检测集成电路及半导体芯片。包括：光敏器件、通路开关器件和反相器件，光敏器件为MOS管；通路开关器件的第一端与第一电压端连接，通路开关器件的第二端与所述通路开关器件的第三端连接，通路开关器件的第三端与光敏器件的第一端连接，光敏器件的第二端与光敏器件的第三端连接，光敏器件的第三端与第二电压端连接，反相器件的输入端与光敏器件的第一端连接；其中，光敏器件在感应到激光照射的情况下，光敏器件的第一端与光敏器件的第三端的导通状态发生变化，且光敏器件的第一端的电压发生高低转换，以使反相器件输出第一报警信号。本发明实施例能够提高激光检测单元电路其自身的安全性。
- 半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统-202110255495.2
- 马英起;陈钱;韩建伟;朱翔;上官士鹏 - 中国科学院国家空间科学中心
- 2021-03-09 - 2021-10-08 - G01R31/265
- 本发明公开一种半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统，包括：激光产生和控制模块、光路模块、检测模块、载物模块和上位机；激光产生和控制模块，用于产生脉冲激光，并对脉冲激光往光学模块传播进行控制；光路模块，用于调制激光产生和控制模块输入的脉冲激光，对激光光斑进行调节控制和测量，对激光能量进行调节控制和测量，将调制后的脉冲激光辐照到半导体器件上；检测模块，用于对半导体器件进行供电和功能测试以及辐照后的电学参数测量。采用本发明技术方案，可以提高激光模拟的准确性，同时可以对激光模拟瞬态剂量率效应进行定量评估。
- 一种用于检测太阳能电池片LETID性能的装置-202023294907.3
- 范维涛;张鑫;黄钧林;程晶;赵雷;龚小文 - 意诚新能(苏州)科技有限公司
- 2020-12-30 - 2021-09-17 - G01R31/265
- 本实用新型涉及一种用于检测太阳能电池片LETID性能的装置，其包括能够检测太阳能电池片的电阻的检验区、能够加速太阳能电池片的热辅助光诱导衰减的工艺区，工艺区包括用于承载太阳能电池片的工艺平台、设置在工艺平台上的遮光罩、设置于遮光罩外周侧用于对太阳能电池片进行加热的加热组件以及设置在遮光罩内用于对太阳能电池片进行光照射的光照组件，光照组件的照射光的波长为800nm‑1300nm。本实用新型提供了一种用于检测太阳能电池片的LETID的设备，有效提升了太阳能电池片的LETID的检测效率和检测准确度。
- 三极管三端电流波形、退火效应测量系统及方法、中子注量测量方法-201910640619.1
- 白小燕;刘岩;陈伟;齐超;金晓明;王桂珍 - 西北核技术研究院
- 2019-07-16 - 2021-08-31 - G01R31/265
- 为准确测量脉冲中子辐照下三极管三端电流、三极管退火效应和中子注量，本发明提供了一种三极管三端电流波形、退火效应测量系统及方法、中子注量测量方法。本发明在固定待测三极管发射极电流的情况下，测量待测三极管三端电流对脉冲中子的响应，且三极管的偏置不受辐照期间光电流的影响，能够实现脉冲中子辐照下三极管退火效应和未知辐照场中中子注量的准确测量。
- 一种器件单粒子效应薄弱点测绘甄别装置及方法-201910634349.3
- 朱翔;韩建伟;李悦;马英起;陈睿;上官士鹏 - 中国科学院国家空间科学中心
- 2019-07-15 - 2021-07-30 - G01R31/265
- 本发明提出一种器件单粒子效应薄弱点测绘甄别装置及方法，所述装置包括：上位机控制模块(11)、单粒子翻转检测组件(13)、被测器件承载器(14)、三维移动平台(15)、可控脉冲激光发射器(16)、CCD组件(17)和工控机组件(12)；所述上位机控制模块(11)，用于将设置的移动位置区间和测试模式参数发送至工控机组件(12)；还根据工控机组件(12)采集到的故障数据进行显示并绘图，获得被测器件发生单粒子效应时的敏感性与敏感区域；所述工控机组件(12)，用于根据接收设置的参数形成移动控制指令，发送至单粒子翻转检测组件(13)以及控制三维移动平台(15)；还将单粒子翻转状态数据和CCD图像上传至上位机控制模块(11)。本发明能够对待测器件发生单粒子效应时的物理位置和时间进行测绘甄别。
- 一种小型高温超导器件测试系统-202110508195.0
- 王华兵;臧子哲;孙汉聪;吴培亨 - 南京大学
- 2021-05-10 - 2021-07-13 - G01R31/265
- 本申请公开了一种小型高温超导器件测试系统，包括固定在底板上的制冷机、压缩机、控制器和样品架；制冷机与压缩机相连用于实现测试系统的制冷；制冷机与样品架相连，所提供的冷源直接为样品架制冷；在样品架上放置硅透镜用来进行太赫兹波的引入聚焦以及辐射引出；控制器控制压缩机的运行。该测试系统采用紧凑化、一体化设计，具有小型化，便携化特点，降低了测试系统的成本，并在达到基本的测量要求的前提下，有效降低噪声，且方便易携带。整个系统能够与现有测量设备进行很好的兼容，如电流源以及相关电输运特性测量设备，能够进行太赫兹领域的相关测试，如RT降温测试，太赫兹源辐射测试，太赫兹混频检测测试等，具有很好的实用性。
- 性能测试方法-202110197136.6
- 黄钦文;恩云飞;付志伟;邵伟恒;董显山;来萍;王蕴辉 - 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
- 2021-02-22 - 2021-06-25 - G01R31/265
- 本发明涉及微纳器件测试技术领域，公开了一种性能测试方法，包括在不同的温度环境下对待测样品进行测试，获取待测样品的谐振频率温度系数；将待测样品固定于红外成像设备上，将红外成像设备加热至预设温度；向待测样品施加预设输入功率，使用红外成像设备对待测样品进行成像测试，获取待测样品在预设输入功率条件下的表面温度场信息；保持待测样品上施加的预设输入功率不变的情况下，测试获取待测样品的特征频率；根据谐振频率温度系数和特征频率，计算获取待测样品在预设输入功率条件下的等效温升。通过获取在预设功率负载下待测样品的表面温度场信息以及等效温升值，为相关产品的设计、可靠性评价及分析、失效机理建模等工作提供可靠的支撑。
- 一种CSP LED编带正负极查验装置-202022800106.3
- 李雍;胡玲玲;瞿澄;罗雪方;陈文娟 - 罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司
- 2020-11-27 - 2021-06-22 - G01R31/265
- 本实用新型公开了一种CSP LED编带正负极查验装置，包括底座，所述底座的下端四角均固定连接有稳固垫，所述底座的上端开有放置槽，所述底座的左端中部与右端中部均开有若干个一号散热口，所述放置槽的下槽壁内固定连接有显示装置，所述显示装置的上端固定连接有覆膜装置，所述覆膜装置的上端固定连接有芯片装置，所述底座的上端固定连接有显示盖，所述显示盖的上端四角均固定连接有固定帽，通过在整个装置上设置芯片装置和覆膜装置，通过覆膜、切割，从而正面有一个倒角的CSP，此结构简单，可直观，避免了传统探针来测极性，判断测试速度快，提高了CSP LED编带正负极查验装置的检测效率。
- 一种背面微光显微镜用芯片固定装置-202021334179.1
- 闪雷章 - 江苏博奥光学仪器有限公司
- 2020-07-08 - 2021-05-04 - G01R31/265
- 本实用新型公开了一种背面微光显微镜用芯片固定装置，包括安装底座、调节组件、纵向固定装置和芯片本体，所述安装底座的顶部设置有调节组件，所述调节组件的表面固定安装有纵向固定装置，所述纵向固定装置的顶部设置有芯片本体，所述调节组件包括滑杆、调节块、锁紧旋钮、夹板、连接件、转轴、转块和活动杆，所述安装底座的顶部固定安装有滑杆，所述滑杆的表面滑动连接有调节块。本实用新型通过设置的调节组件使得该装置能够根据不同芯片的尺寸进行调节，从而扩大了其使用范围，且其结构简单，操作方便，通过设置的纵向固定装置使得该装置在使用时不仅能够根据不同芯片的厚度进行调节，且还能有效保护芯片不会受损。
- 专利分类
