[发明专利]一种增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法有效
| 申请号： | 202111566259.9 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114351094B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李剑;张贻海;袁庆祝;王丽娟;陈杰;段宏伟 | 申请（专利权）人： | 唐山万士和电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京国贝知识产权代理有限公司 11698 | 代理人： | 尹晓强 |
| 地址： | 064100 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明公开一种增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法，包括：对微天平石英晶片镀金属膜，得到金属镀膜微天平石英晶片；对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层，得到增镀石墨层微天平石英晶片，对所述微天平石英晶片镀金属膜的溅射功率为0.30kw‑0.40kw，对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层的真空度为5.0×10‑1Pa‑7.0×10‑1Pa、镀前预加热镀膜温度为120℃‑140℃、溅射功率为0.5kW‑0.8kW，速率为 |
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| 搜索关键词： | 一种 石墨 天平 石英 晶片 生产 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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