[发明专利]一种增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法

说明书

本发明公开一种增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法，包括：对微天平石英晶片镀金属膜，得到金属镀膜微天平石英晶片；对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层，得到增镀石墨层微天平石英晶片，对所述微天平石英晶片镀金属膜的溅射功率为0.30kw‑0.40kw，对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层的真空度为5.0×10‑1Pa‑7.0×10‑1Pa、镀前预加热镀膜温度为120℃‑140℃、溅射功率为0.5kW‑0.8kW，速率为本发明得到的增镀石墨层微天平石英晶片的石墨层无起皱、脱落等失效现象，能够保证微天平石英晶片的敏感度。

技术领域

本发明涉及精密仪器领域，具体地涉及一种增镀石墨层微天平石英晶片的 生产方法。

背景技术

石英晶体微天平基于声波传感原理，采用模块化设计,可通过石英传感器频 率变化和耗散变化来检测芯片表面微小的质量和结构变化。适用于气体和液体 样品。具有倍频操作模式，可给出薄膜的粘度，弹性模量，粘性模量，厚度等 信息，并且可用于气相组分、有毒易爆气体的检测，具有特异性好、灵敏度高、 成本低廉和操作简便等优点。为了增加镀金属膜的微天平石英晶片的对待测物 的敏感度，通常会在金属膜上增镀石墨层。但是现有技术的金属膜光滑度不够，导致石墨层附着度差，会在造成石墨层起皱、脱落，并且现有技术中增镀石墨 层的技术导致石墨薄膜敏感膜附着度差。

发明内容

为了解决增镀石墨层微天平石英晶片的石墨层起皱、脱落的问题，本发明 提出如下方案：

一种增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法，包括：

对微天平石英晶片镀金属膜，得到金属镀膜微天平石英晶片；

对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层，得到增镀石墨层微天平石英 晶片，

对所述微天平石英晶片镀金属膜的溅射功率为0.30kw-0.40kw，

对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层的真空度为5.0×10-1Pa-7.0× 10-1Pa、镀前预加热镀膜温度为120℃-140℃、溅射功率为0.5kW-0.8kW，速率 为

根据本发明的实施例，对所述微天平石英晶片镀金属膜的真空度为4.0×10-1Pa-5.4×10-1Pa、镀前加热镀膜温度为90℃-105℃、速率为

根据本发明的实施例，对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层得到的 所述增镀石墨层微天平石英晶片中最终石墨厚度为100nm～150nm。

具体实施方式

下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的 实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动 前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法包括两个步骤：

步骤1：对微天平石英晶片镀金属膜，得到金属镀膜微天平石英晶片，其 工艺为：溅射功率为0.30kw-0.40kw、真空度为4.0×10-1Pa-5.4×10-1Pa、镀前 加热镀膜温度为90℃-105℃、速率为这种溅射功率提高后，能够 提高镀金属膜微天平石英晶片的金属膜表面粗糙度，但前提是确保金电极膜没 有产生明显金的颗粒，否则会降低微天平良量程和精度。

步骤2：对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层，得到增镀石墨层微 天平石英晶片，其工艺为：真空度为5.0×10-1Pa-7.0×10-1Pa、镀前预加热镀 膜温度为120℃-140℃、溅射功率为0.5kW-0.8kW，速率为以上 参数实在在保证微天平良量程和精度的前提下进行。通过分别提高对所述金属 镀膜微天平石英晶片增镀石墨层真空度、镀前预加热镀膜温度、溅射功率和速 率，得到的所述增镀石墨层微天平石英晶片中最终石墨层厚度为100nm～150nm。

具体实施例