[发明专利]一种增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法

权利要求书

1.一种增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法，包括：

对微天平石英晶片镀金属膜，得到金属镀膜微天平石英晶片；

对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层，得到增镀石墨层微天平石英晶片，其特征在于，

对所述微天平石英晶片镀金属膜的溅射功率为0.30kw-0.40kw，真空度为4.0×10^-1Pa-5.4×10^-1Pa、镀前加热镀膜温度为90℃-105℃、速率为

对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层的真空度为5.0×10^-1Pa-7.0×10^-1Pa、镀前预加热镀膜温度为120℃-140℃、溅射功率为0.5kW-0.8kW，速率为

2.根据权利要求1所述的增镀石墨层微天平石英晶片的生产方法，其特征在于，对所述金属镀膜微天平石英晶片增镀石墨层得到的所述增镀石墨层微天平石英晶片中最终石墨厚度为100nm～150nm。