[发明专利]一种硼酸铯锂晶体助熔剂及晶体生长方法在审
| 申请号： | 202111412686.1 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114262932A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;耿栋;朱显超 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/22;G02F1/355 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 李淑惠 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种硼酸铯锂晶体助熔剂及晶体生长方法，采用Cs |
||
| 搜索关键词： | 一种 硼酸 晶体 熔剂 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111412686.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种麻醉护理配药车
- 下一篇：一种铸铁中微量铈的火花直读光谱检测方法
- 同类专利
- 一种高光学质量K
- 夏明军;刘青雄;唐川;李如康;吴倩 - 中国科学院理化技术研究所
- 2022-04-18 - 2023-10-27 - C30B9/12
- 本发明提供了一种高光学质量K
- 一种利用单一熔盐制备氧化锆晶须的方法-202310972906.9
- 张权;冯果;江峰;刘健敏;徐贵荣;李华 - 景德镇陶瓷大学
- 2023-08-03 - 2023-10-24 - C30B9/12
- 本发明公开一种利用单一熔盐制备氧化锆晶须的方法，包括如下步骤：步骤一：将氧氯化锆、草酸、乙醇按一定比例混合均匀，经干燥后得到锆源；步骤二：将步骤一制得的锆源与熔盐按一定比例混合均匀，装入加盖的坩埚中放入马弗炉，经热处理、水洗、干燥得到氧化锆晶须。本发明利用单一熔盐合成氧化锆晶须，生产工艺操作方便，产品性能稳定，原料成本低廉，因此具有广阔的应用前景。
- 一种利用共晶盐助熔剂制备二氧化铀单晶的方法-202310733008.8
- 王渝;张蕾;雷蕾 - 宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 2023-06-20 - 2023-10-13 - C30B9/12
- 本发明属于核燃料制备领域以及晶体制备技术领域，涉及一种利用共晶盐助熔剂制备二氧化铀单晶的方法。包括以下步骤S1、将U
- 一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法-202211048823.2
- 周庆;廖雪峰;吴岱丰;唐永利;卢其云;曾炜炜;卢赐福;唐仁衡 - 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所;惠州市福益乐永磁科技有限公司
- 2022-08-30 - 2023-10-03 - C30B9/12
- 本发明公开一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法。本发明采用RE‑Fe‑B‑M生长体系进行RE
- 一种利用无氟、热稳定熔盐制备单斜氧化锆晶须的方法-202310832851.1
- 张权;冯果;江峰;刘健敏;徐贵荣;江伟辉 - 景德镇陶瓷大学
- 2023-07-09 - 2023-09-29 - C30B9/12
- 本发明公开一种利用无氟、热稳定熔盐制备单斜氧化锆晶须的方法，将锆源、熔盐按一定比例混合，经热处理、洗涤、干燥得到单斜氧化锆晶须。本发明具有①工艺简单，无需回流或者溶剂热反应；②熔盐中不含氟化物，避免熔盐反应中或者后面水洗熔盐过程对环境的压力；③熔盐热稳定，避免类似硫酸盐，磷酸盐在熔盐过程热分解，减少了熔盐消耗，同时避免类似磷酸盐与锆前驱体发生反应形成杂质，无法洗去留在样品中等优点，因此具有广阔的应用前景。
- 一种新型稀土离子掺杂的双钼酸盐NaLu(MoO
- 余意;但铭杰;牛重辉 - 赣南师范大学
- 2023-05-09 - 2023-08-25 - C30B9/12
- 本发明公开了一种新型稀土离子掺杂的双钼酸盐NaLu(MoO
- 一种β-BaB
- 朱显超;席天卉;胡章贵 - 天津理工大学
- 2023-05-15 - 2023-08-22 - C30B9/12
- 本发明提供一种β‑BaB
- 系列碱金属硼硫酸盐化合物和碱金属硼硫酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途-202111171965.3
- 潘世烈;李子健;张方方 - 中国科学院新疆理化技术研究所
- 2021-10-06 - 2023-07-25 - C30B9/12
- 本发明涉及一种系列碱金属硼硫酸盐化合物和碱金属硼硫酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途，该系列化合物的分子通式为M
- 一种自动旋转的氮化镓单晶生长装置及方法-202310253879.X
- 张敏;刘南柳;姜永京;陈垦宇;王琦 - 北京大学东莞光电研究院
- 2023-03-15 - 2023-07-04 - C30B9/12
- 本发明公开一种自动旋转的氮化镓单晶生长装置及方法，该装置包括用于氮气离子化的解离室和用于氮化镓单晶生长的生长室，解离室的下端连通第一管线，第一管线通过第一驱动器通往生长室的上部，生长室的下端连通第二管线，第二管线通过第二驱动器通往解离室的上部；生长室内设有支撑杆，支撑杆的上端套有涡轮，涡轮上安装有叶片，涡轮的上端设有圆台，圆台上设有凹槽，凹槽用于放置籽晶。本发明既实现氮离子浓度分布均匀，又能让氮化镓单晶衬底自动旋转，实现氮离子溶解与消耗的分离，让整个熔体系统实现循环流动，而循环流体又可以自动带动单晶衬底旋转，解决籽晶表面生长速率不均匀，氮化镓生长质量较低的问题。
- 晶体生长炉纵向温度梯度测量系统、方法及晶体生长系统-202310315301.2
- 赵营;王晓洋;夏明军;刘丽娟 - 中国科学院理化技术研究所
- 2023-03-28 - 2023-06-27 - C30B9/12
- 本发明涉及晶体生长技术领域，提供一种晶体生长炉纵向温度梯度测量系统、方法及晶体生长系统，晶体生长炉纵向温度梯度测量系统包括温度检测元件、升降装置和控制装置，温度检测元件用于穿过晶体生长炉炉盖并伸入到坩埚内熔液液面处；升降装置用于驱动温度检测元件升降；控制装置包括输入模块、显示存储模块和控制模块，输入模块用于输入温度检测元件的预设移动行程和预设移动时间，输入模块与控制模块通信连接，控制模块用于控制升降装置启停，显示存储模块与温度检测元件通信连接，显示存储模块用于显示并存储温度检测元件的检测信号。可有效克服环境和人为因素对测试数据的影响及获取真实可靠的测试数据，实现自动化测量，有效降低人力成本。
- 提笼机构及晶体生长装置、晶体生长方法-202310318169.0
- 赵营;王晓洋;夏明军;刘丽娟 - 中国科学院理化技术研究所
- 2023-03-28 - 2023-06-23 - C30B9/12
- 本发明涉及晶体生长技术领域，提供一种提笼机构及晶体生长装置、晶体生长方法，提笼机构包括笼体和吊装组件，笼体伸入晶体生长炉的坩埚内，笼体能够供坩埚内的熔体通过，笼体位于籽晶外、以用于承载晶体；吊装组件的底端与笼体连接，吊装组件的顶端与晶体生长炉的炉盖连接。通过对提笼机构的提升可以将晶体一同提升，使晶体脱离熔体，从而便于取出晶体；由于提笼机构的承载和提升作用，不需要再通过增加籽晶的尺寸来增加籽晶与晶体的连接强度，有利于减小籽晶的尺寸，降低晶体缺陷的引入，有利于获取大口径高光学质量的非线性晶体毛坯及器件。
- 一种摩擦材料用钛酸钾晶须的制备方法-202211639843.7
- 潘峥嵘 - 镇江创时纳米材料有限公司
- 2022-12-20 - 2023-05-26 - C30B9/12
- 本发明公开了一种摩擦材料用钛酸钾晶须的制备方法，属于材料领域，以碳酸钾和偏钛酸为原料，以锰酸钾为助溶剂，采用熔剂法制备得到摩擦材料用钛酸钾晶须。本发明的摩擦材料用钛酸钾晶须的制备方法，原料采用磷单质酸钾和偏钛酸进行，制六钛酸钾晶须，再使用助熔剂进行辅助，通过将锰酸钾分批次加入的构思，可以使得助熔剂所起到的助熔效果更好，磷单质酸钾和偏钛酸反应的较为完全，使得原料的利用率更高，降低了生产成本，同时增加了收率。
- 一种稀土镍基氧化物电子相变薄膜材料的合成方法-202211590408.X
- 陈吉堃;边驿 - 北京科技大学
- 2022-12-12 - 2023-05-23 - C30B9/12
- 本发明提供一种基于高氧压熔盐技术的稀土镍氧化物膜的生长方法，其主要构思在于使用碱金属卤化物作为助熔剂并有效熔解稀土氧化物、镍氧化物前驱体，并在高氧压下通过适当的热处理工艺使处于热力学亚稳相的稀土镍基氧化物在具有相近晶格参数的衬底或衬底缓冲层上非均匀形核成膜。该方法的优势在于不涉及任何真空沉积过程，可实现微米级厚度稀土镍基氧化物膜在平面、曲面上的均匀批量制备。所制备的膜材料具有良好的金属‑绝缘体转变特性、氢致电子相变特性，可应用于突变式热敏电阻、红外伪装、海洋电场探测等方面。
- 一种Mg
- 林思琪;金敏;杨淼森;王相虎;李荣斌 - 上海电机学院
- 2022-12-30 - 2023-05-12 - C30B9/12
- 本发明公开了一种Mg
- 一种液相法碳化硅单晶生长的连续加硅料装置及加料方法-202211619875.0
- 王晗;陆敏;柯尊斌;张小勇;吴信杠 - 常州臻晶半导体有限公司
- 2022-12-15 - 2023-04-18 - C30B9/12
- 本发明属于碳化硅单晶生长设备技术领域，具体涉及一种液相法碳化硅单晶生长的连续加硅料装置及加料方法，本连续加硅料装置包括：副腔体打开且插板密封阀关闭时，在第一石墨坩埚中装入硅颗粒；副腔体关闭且保持真空状态时，插板密封阀打开将硅颗粒送入中转石英坩埚内，硅颗粒落入半融硅料化输送管道、外层硅料区域，硅颗粒在外层硅料区域中融化形成硅料溶液；外层硅料区域中硅料溶液溢出至第二石墨坩埚中内层生长区域，以补充第二石墨坩埚中内层生长区域在单晶生产过程中消耗的硅料溶液；本发明能够实现长时间稳定生长单晶，并在单晶生长期间分批次补充硅，结构简单、操作简单，且能多次少量的补充硅，不需要增加其他耗能电源，安全系数高。
- 一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的熔体搅拌装置-202223489861.X
- 张雷;王本发;王守志;王国栋;俞娇仙 - 山东大学
- 2022-12-27 - 2023-04-07 - C30B9/12
- 本实用新型提出了一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的熔体搅拌装置，包括用于调节高度的调节支架、搅拌桨叶、反应容器和驱动设备，搅拌桨叶通过驱动杆与调节支架连接，驱动设备驱动端连接驱动杆，驱动设备通过驱动杆带动搅拌桨叶转动，反应容器内盛有熔体，调节支架带动搅拌桨叶进出熔体。本实用新型结构简单实用，并且可以根据氮化物单晶不同的生长条件，灵活改变搅拌桨叶在熔体中的位置，并以一定的速度和时间搅动熔体，既实现了熔体流动带动溶质的定向传输，解决了现有生长体系中的溶质传输困难、易产生多晶等技术问题，又可进一步保证籽晶外延界面区域的溶质过饱和度始终在合适的区间内，从而提高外延氮化物单晶的质量与尺寸。
- 用于熔盐法晶体生长的坩埚-202223277858.1
- 孙莽;王鸿雁;薛凯文;赵海泉;乔振福;肖承龙;王世武 - 青岛海泰光电技术有限公司
- 2022-12-07 - 2023-03-31 - C30B9/12
- 本实用新型提供一种用于熔盐法晶体生长的坩埚。坩埚本体：所述坩埚本体由外壁向内壁的方向依次包括刚玉层、氧化物层和铂金层；所述坩埚本体呈柱状，具有开口端；坩埚盖：所述坩埚盖由外壁向内壁的方向依次包括刚玉层、氧化物层和铂金层；可安装在坩埚本体的开口端。坩埚采用三层坩埚结构，坩埚最内层为铂金，通过真空镀膜的方式镀制在刚玉坩埚表面，一方面可以减少铂金占用成本，另一方面最外层采用高温下不变形的刚玉坩埚保证了晶体生长时温场的稳定性。
- 一种高分散棒状硅酸锆晶体的制备方法-202310012455.4
- 刘健敏;王涛;江峰;江伟辉;梁健;徐贵荣;冯果;苗立锋;张权 - 景德镇陶瓷大学
- 2023-01-05 - 2023-03-28 - C30B9/12
- 本发明公开了一种高分散棒状硅酸锆晶体的制备方法，步骤一：按照一定硅锆摩尔比称取硅盐和锆盐，将其分别溶于去离子水中形成溶液；步骤二：将硅溶液缓慢加入到锆溶液中并不停搅拌，待其反应一段时间后过滤洗涤干燥即得硅酸锆反应前驱体；步骤三：将硅酸锆反应前驱体、熔盐和五氧化二钒按照一定摩尔比混合均匀后在指定温度下热处理得到煅烧产物；步骤四：将所得煅烧产物经过去离子水清洗三次，再乙醇清洗一次后在70℃烘干，即得高分散的棒状硅酸锆晶体。该方法所用原料价格低廉，操作工艺简便且易于控制，制得的粉体分散性好且结晶度较高，适于规模化生产。所制色料粉体蓝色色调明显，在釉中呈色稳定，有望进一步应用于喷墨打印领域。
- 用于制备n型SiC单晶的方法-202211356533.4
- 陈小龙;王国宾;李辉;盛达;王文军;郭建刚 - 中国科学院物理研究所
- 2022-11-01 - 2023-03-21 - C30B9/12
- 本发明提供一种用于制备n型SiC单晶的方法，其包括以下步骤：(1)将助熔剂置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨坩埚上方的提拉杆上；(2)将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；(3)加热石墨坩埚至所述助熔剂完全熔化以形成熔体，通入包含氮气的混合气体以控制生长炉内的气压并保持恒定的氮气分压；(4)下推提拉杆使得所述籽晶与熔体接触，进而生长n型SiC单晶。本发明的方法能够有效地通过液相法生长出高质量的、掺杂均匀的n型SiC单晶，而且能够实现氮掺杂浓度的大范围精确调控。同时，该方法还具有生长温度低、生长速率高和生长成本低的优势。
- 一种提高晶体生长质量的方法-202211587829.7
- 郭超;母凤文 - 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
- 2022-12-12 - 2023-03-21 - C30B9/12
- 本发明提供一种提高晶体生长质量的方法，所述方法包括如下步骤：（1）含硅助溶剂盛放于石墨坩埚内，石墨坩埚的外侧设置有加热装置，将碳化硅籽晶浸入含硅助溶剂中，定义垂直于碳化硅籽晶的下表面向下为第一方向，调节石墨坩埚与加热装置之间的垂直距离，使得含硅助溶剂内部形成第一方向的第一温度梯度，碳化硅籽晶发生刻蚀，得到刻蚀后的碳化硅籽晶；（2）调节石墨坩埚与加热装置之间的垂直距离，使得含硅助溶剂内部形成第一方向的第二温度梯度，使步骤（1）所述刻蚀后的碳化硅籽晶表面生长晶体。本发明所述的方法大幅度提高了晶体的质量，晶体表面平整，不存在溶液包裹，具有更低的基平面位错密度。
- 稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用-202211337263.2
- 张俊杰;汪晓黎;陶绪堂;刘超;范传彦;韩璐;李飞宇 - 山东大学
- 2022-10-28 - 2023-03-14 - C30B9/12
- 本发明涉及稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用，以NiO、R
- 一种多片式氮化镓晶体生长装置及方法-202211435950.8
- 李振荣;黄戈萌;杨琛;马明;巩蕊玲;夏颂 - 西安交通大学
- 2022-11-16 - 2023-03-14 - C30B9/12
- 本发明公开一种多片式氮化镓晶体生长装置及方法，在基座的插槽中插入多片籽晶，将嵌有籽晶的基座放入坩埚中，加入生长溶液；坩埚装入高压反应釜中，将反应釜放入高温晶体生长炉中，抽真空后通入含氮气体；在生长温度以及生长压力下，通过摇摆使生长溶液处于流动状态，含氮气体中氮气分子在助熔剂的作用下解离为氮离子，当生长溶液中氮的溶解浓度达到外延生长所需阈值时，在多片籽晶表面外延生长GaN晶体。本发明中含氮气体中氮气分子解离为氮离子，通过使生长溶液流动，生长溶液的强制对流促进了氮离子的扩散与对流，有效提高了氮在生长溶液中溶解的均匀性，并且保证了多片籽晶生长的一致性。
- 助熔剂法生长氮化镓单晶的方法、系统及检测方法-202111021130.X
- 司志伟;刘宗亮;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2021-09-01 - 2023-03-03 - C30B9/12
- 本发明公开了一种助熔剂法生长氮化镓单晶的方法、系统及检测方法。所述方法包括：在以助熔剂法液相外延生长氮化镓单晶时，向其中的熔融态生长原料施加电压，以至少驱使所述熔融态生长原料流动和/或降低所述熔融态生长原料的表面能。本发明实施例提供的一种基于电压诱导的助熔剂法生长均匀的氮化镓单晶的方法，采用电压驱使生长体系内的熔融态生长原料流动，使得原料能够更充分地均匀混和，进而可以生长获得质量更加均一的氮化镓体单晶。
- 一种高利用率BIBO晶体的制备方法-202211431151.3
- 王昌运;陈伟;陈秋华;李雄;廖洪平 - 福建福晶科技股份有限公司
- 2022-11-16 - 2023-01-31 - C30B9/12
- 一种高利用率BIBO晶体的制备方法，根据BIBO晶体生长的外形特点，采用特殊结构的扇形坩埚，并利用籽晶杆将籽晶设置在靠近坩埚中心旋转轴的位置，籽晶杆不断进行顺时针和逆时针的来回转动，通过扇形坩埚设置特殊的温度场，抑制晶体边角杂晶的形成，同时保证晶体极性生产，进一步提高了BIBO晶体的利用率。
- 一种制备Cr
- 鲁子骞;龚元元;白雨情;徐桂舟;徐锋 - 南京理工大学
- 2021-06-21 - 2023-01-06 - C30B9/12
- 本发明公开了一种制备Cr
- 一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备-202110636709.0
- 吴熙 - 东莞理工学院
- 2021-06-08 - 2022-12-27 - C30B9/12
- 本发明涉及晶体生长技术领域，提供了一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备。本发明利用GaN晶体粉末的分解为晶体生长提供镓源和氮源，无需外接氮源，并且本发明采用带有通孔的隔板将GaN晶体粉末和GaN籽晶分离开，可以避免GaN晶体粉末移动到GaN籽晶附近，GaN籽晶周围助熔剂的成分和比例不会发生改变，从而保证GaN晶体生长的可持续性和稳定性。本发明将重结晶技术引入到助熔剂法中，形成封闭的GaN晶体生长系统，提高了GaN晶体生长的稳定性，增强晶体生长的可延续性，延长晶体生长的时间，所得GaN晶体表面光滑整洁，质量高。
- 一种六方氮化硼单晶的方法-202211194854.9
- 胡章贵;郭小娟;陈建丽;徐永宽;熊杰 - 天津理工大学
- 2022-09-29 - 2022-12-20 - C30B9/12
- 本发明涉及一种六方氮化硼单晶的方法，以金属Ni和氧化锂(Li
- 一种单晶三元正极材料的制备方法-202210984183.X
- 黄国勇;王顺民;董瀚元;廖扬青;温嘉玮;吴燕;王春霞;高廉铭 - 甘肃睿斯科锂电材料有限公司
- 2022-08-17 - 2022-11-25 - C30B9/12
- 本发明公开了一种单晶三元正极材料的制备方法，包括以下步骤：(1)将氢氧化镍钴锰前驱体Ni
- 一种钨酸铋单晶及其制备方法-202210955377.7
- 刘国卿;王国伟;田相鑫;颜强;吴正新;刘永 - 深圳大学
- 2022-08-10 - 2022-11-11 - C30B9/12
- 本发明公开了一种钨酸铋单晶及其制备方法，所述制备方法为助熔剂法，包括步骤：将氧化钨粉末和氧化铋粉末混合后，进行高温固相反应生成钨酸铋多晶；向所述钨酸铋多晶中加入助熔剂，加热熔融并恒温一段时间，然后进行程序降温至预设温度，再自然冷却至室温，得到所述钨酸铋单晶。本发明采用助熔剂法，将助熔剂与制备得到的钨酸铋多晶混合，加热熔融一定时间并通过降温控制钨酸铋单晶的生长，所述钨酸铋单晶可作为闪烁晶体应用于核辐射探测领域，解决了钨酸铋多晶粉体因本身构型缺陷不能作为闪烁晶体应用于核辐射探测领域的问题。所述制备方法工艺简单、原料易得、成本较低、容易实现，可为制备大尺寸的钨酸铋单晶提供有益参考。
- 一种二维材料的合成方法、二维材料及其应用-202210982225.6
- 宫勇吉;张鹏;江华宁;王兴国 - 北京航空航天大学
- 2022-08-16 - 2022-11-04 - C30B9/12
- 本发明提供一种二维材料的合成方法，其包括以下步骤：将前驱体粉末放置于第一衬底和第二衬底之间；给所述第一衬底和所述第二衬底施加一定压力，在气氛中加热到反应温度，并在该反应温度下保温一段时间；以及降温，将所述第一衬底和所述第二衬底分开。本发明进一步提供一种利用所述二维材料的合成方法所合成的二维材料，以及该二维材料的应用。
- 专利分类
