[发明专利]利用NAND缓冲器进行无DRAM的多级单元编程在审
| 申请号： | 202111347034.4 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114664361A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 尚卡拉·纳塔拉扬;苏雷什·那加拉甘;阿力斯格·S·马德拉斯瓦拉;张屹华 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/04;G11C11/413;G06F12/0882;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 田琳婧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以通过内部缓冲器重复使用来对多级单元(MLC)非易失性(NV)介质进行编程，以减少对外部缓冲的需要。内部缓冲器与要编程的NV介质位于同一管芯上，并且与易失性存储器一起用于存储要编程的数据。内部缓冲器对用于NV介质的数据进行读取和编程。对NV介质进行编程包括将第一部分页暂存在缓冲器中用于编程，将第二部分页从NV介质读取到易失性存储器，将第二部分页存储在缓冲器中，以及使用第一部分页和第二部分页对NV介质进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 nand 缓冲器 进行 dram 多级 单元 编程 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111347034.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自动化鞋类平台的系带组件
- 下一篇：车辆电池充电系统及利用该系统的充电方法
