[发明专利]三维沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法有效
| 申请号： | 202111116282.8 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113838919B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张金平;朱镕镕;陈子珣;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法，本发明在传统沟槽栅电荷存储型IGBT的基础上引入P型埋层和与发射极金属等电位的分离栅电极，通过电荷补偿消除N型电荷存储层对器件击穿特性的不利影响，有利于改善了正向导通压降Vceon和关断损耗Eoff之间的折中关系。沟道密度的减小以及NMOS沟道的提前饱和，减小器件的饱和电流密度，提高器件的短路安全工作区(SCSOA)。同时PMOS的钳位可以有效的减小栅电容和栅电荷，从而提高了器件开关速度，降低了器件的开关损耗和对栅驱动电路能力的要求。由于PMOS和NMOS沟道的距离被缩短，有利于提高PMOS的钳位效果以及芯片内部的电流均匀性，获得更宽的反偏安全工作区(RBSOA)。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 沟槽 电荷 存储 igbt 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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