[发明专利]一种分离栅MOSFET的制作方法在审
| 申请号： | 202111065259.0 | 申请日： | 2021-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN113725078A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张楠;黄健;孙闫涛;顾昀浦;刘静 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州京诺知识产权代理有限公司 44407 | 代理人： | 于睿虬 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法，包括：选取硅衬底并依次淀积第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层；对硅外延层表面刻蚀形成沟槽；形成分离栅氧化层；在沟槽内形成分离栅多晶硅；使分离栅多晶硅暴露于分离栅氧化层外；以干法刻蚀方式刻蚀分离栅多晶硅，使其顶部低于第三氧化层的最高处，形成一凹陷区域；在沟槽内沉积氧化层，以填满凹陷区域，在凹陷区域内形成多晶硅间隔离氧化层；在多晶硅间隔离氧化层上方的沟槽内形成栅极氧化层；在由栅极氧化层形成的沟槽内形成栅极多晶硅。本发明通过将分离栅多晶硅向下刻蚀出凹陷区域，再向凹陷区域内填充氧化层来形成多晶硅间隔离氧化层的方法，能够形成厚度较厚且形貌完整的多晶硅间隔离氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分离 mosfet 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
