[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的介质层和牺牲层；形成贯穿所述堆叠层的沟道孔；经由所述沟道孔去除所述牺牲层的至少一部分以形成凹陷；在所述凹陷内形成电荷存储部分，所述电荷存储部分设于相邻的介质层之间；去除所述牺牲层的其余部分以暴露所述电荷存储部分；以及将暴露的所述电荷存储部分的至少一部分转化为阻挡部分。本申请的制造方法形成的阻挡层不占据栅极层的垂直空间。在相同的堆叠高度下，本申请的三维存储器能够堆叠更多层数的介质层和栅极层，从而增大存储容量。