[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.三维存储器的制造方法，包括：

在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的介质层和牺牲层；

形成贯穿所述堆叠层的沟道孔；

经由所述沟道孔去除所述牺牲层的至少一部分以形成凹陷；

在所述凹陷内形成电荷存储部分，所述电荷存储部分设于相邻的所述介质层之间；

去除所述牺牲层的其余部分以暴露所述电荷存储部分；以及

将暴露的所述电荷存储部分的至少一部分氧化为阻挡部分。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：形成贯穿所述堆叠层的栅极狭缝；

其中，去除所述牺牲层的其余部分以暴露所述电荷存储部分的步骤包括：

经由所述栅极狭缝去除所述牺牲层的所述其余部分，以暴露所述电荷存储部分。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

经由所述栅极狭缝在由于去除所述牺牲层的所述其余部分而形成的空隙中填充导电层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述电荷存储部分之前，所述方法还包括：

在所述牺牲层的位于所述凹陷的侧壁的部分上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包括多晶硅。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层包括：

在所述牺牲层和所述介质层的暴露于所述沟道孔的壁上形成初始刻蚀停止层；以及

去除所述初始刻蚀停止层位于所述介质层的壁上的部分，以在所述牺牲层的位于所述凹陷的侧壁的部分上形成所述刻蚀停止层。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层相对于所述电荷存储部分具有预定的第一刻蚀选择比，以在去除所述牺牲层时保留所述电荷存储部分。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制造方法，其特征在于，形成所述电荷存储部分包括：

在所述凹陷内和所述介质层的侧壁上形成存储层；以及

去除所述存储层的位于所述介质层的侧壁上的部分，以在所述凹陷内形成多个分立的所述电荷存储部分。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，执行化学气相沉积工艺形成所述堆叠层，并且执行原子层沉积形成所述电荷存储部分。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在去除所述牺牲层的其余部分之前，所述方法还包括：

沿所述沟道孔的侧壁依次沉积隧穿层、沟道层和电介质芯。

10.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，去除所述牺牲层的其余部分包括：

刻蚀所述牺牲层的所述其余部分并停止于所述刻蚀停止层；以及

去除所述刻蚀停止层。

11.三维存储器的制造方法，包括：

在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的介质层和牺牲层；

形成贯穿所述堆叠层的沟道孔；

经由所述沟道孔去除所述牺牲层的至少一部分以形成凹陷；

在所述牺牲层的侧壁上形成刻蚀停止层；

在所述凹陷内形成电荷存储部分，其中，所述电荷存储部分覆盖所述刻蚀停止层的侧壁；

去除所述牺牲层的其余部分以暴露所述刻蚀停止层；以及

将所述刻蚀停止层氧化为阻挡部分的至少一部分。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层包括：

在所述牺牲层和所述介质层的暴露于所述沟道孔的壁上形成初始刻蚀停止层；以及

去除所述初始刻蚀停止层位于所述介质层的壁上的部分，以在所述牺牲层的位于所述凹陷的侧壁的部分上形成所述刻蚀停止层。