[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法有效
申请号: | 202111021595.5 | 申请日: | 2021-09-01 |
公开(公告)号: | CN113782649B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 范凯平;旷明胜;唐恝;何俊聪;徐亮;易翰翔 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/44;H01L33/46 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种倒装LED芯片的制备方法,其包括:在衬底上形成N‑GaN层、MQW层和P‑GaN层;刻蚀形成贯穿至衬底的第一孔道;以第二光刻胶为掩膜,同时形成电离扩展层和贯穿至N‑GaN层的第二孔道;形成钝化层;以第三光刻胶为掩膜,同时形成侧壁保护结构、反射镜层和金属保护层;形成第一绝缘层;刻蚀形成第三孔道和第四孔道;形成第一电极、第二电极;形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成第一焊盘层和第二焊盘层,研磨减薄后沿第一孔道劈裂,即得到倒装LED芯片成品。实施本发明,可大幅缩短制程工艺时间,提升工艺效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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