[发明专利]一种3DIC芯片及3DIC芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202110990169.6 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113628984A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王慧梅 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H01L25/065 |
| 代理公司： | 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 710075 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种3DIC芯片及3DIC芯片的制备方法，3DIC芯片包括芯片本体，所述芯片本体的第一表面开设有窗口；第一凸块，设置于所述窗口内；第二凸块，设置于所述芯片本体的所述第一表面上，且与所述窗口位置错开；其中，所述第一凸块用于传输信号，所述第二凸块用于分散所述第一凸块的应力，所述第一凸块与所述第二凸块之间的高度差小于等于阈值。本发明解决了现有3DIC芯片中凸块引起的应力集中且不均匀的技术问题，并且将第一凸块与第二凸块的高度差保证在预定范围内，保证了虚拟凸块和真实凸块的共面度，避免了倒装上芯时的虚焊风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dic 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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