[发明专利]一种二维二碲化钼纳米材料的限域化学气相沉积制备方法有效

专利信息
申请号: 202110978282.2 申请日: 2021-08-25
公开(公告)号: CN113428845B 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 王珊珊;徐淘;李守恒;江天;程湘爱 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;B82Y40/00
代理公司: 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 代理人: 邱轶
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明总体地涉及二维材料制备技术领域,提供了一种二维二碲化钼(MoTe2)纳米材料的限域化学气相沉积制备方法,包括下列步骤:(1)准备两块基底,标记为基底A和基底B;将基底A的抛光面进行等离子表面处理;(2)在处理后的基底A的表面涂覆钼酸钠溶液以形成钼酸钠涂层;(3)构筑限域生长环境:将基底A的钼酸钠涂层面和基底B的抛光面以面对面的方式叠合,其中基底B在上,两者构成微米级狭缝(1‑30微米)的叠层基底;(4)通过放置位置设置使碲粉先被加热成碲蒸汽,然后与快速引入加热区的叠层基底中的钼源在限域中反应、生长;(5)取样:待石英管降至室温后,取出叠层基底,在基底B表面得到二维MoTe2
搜索关键词: 一种 二维 二碲化钼 纳米 材料 化学 沉积 制备 方法
【主权项】:
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