[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 202110927715.1 申请日: 2021-08-11
公开(公告)号: CN114267646A 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 井户道雄 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L25/065
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张轶楠;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的一个实施方式提供能够将半导体芯片进一步高集成化的半导体存储装置。一个实施方式的半导体存储装置具备基板、第1半导体芯片及第2半导体芯片。第1半导体芯片具有与基板相接的第1面、第1面的相反侧的第2面及设置于第2面的第1焊盘。第2半导体芯片具有与第2面相接的第3面、第3面的相反侧的第4面及缺口部。缺口部设置于处于第3面与第4面之间的侧面和第3面交叉的角部。缺口部在从第4面的上方观察时与第1焊盘的至少一部分重叠。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
暂无信息
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