[发明专利]一种减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法在审
| 申请号： | 202110924981.9 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN113782436A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减小鳍式晶体管伪栅极切断效应的方法，在基底上形成多个多晶硅结构，多晶硅结构上设有硬掩膜结构；多晶硅结构设有侧墙；在基底上形成外延结构；沉积层间介质层；第一次退火处理；对层间介质层研磨，研磨至将硬掩膜结构的顶部露出为止；采用退火气体为氮气对层间介质层进行第二次退火处理；对层间介质层研磨至露出多晶硅结构顶部为止；去除多晶硅结构，形成HK金属栅。本发明在层间介质层进行研磨后，采用500～700℃的干氮气进行退火，用于释放FCVD过程中退火中产生的张应力，可以减小切断效应，器件在不同位置处的变化被削弱。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 晶体管 栅极 切断 效应 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
