[发明专利]半导体制造装置在审
| 申请号： | 202110776703.3 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN114267571A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 藤井干;西田大介 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够使自由基生成的控制性提高的半导体制造装置。实施方式所涉及的半导体制造装置具备容纳半导体基板的腔室和设置于腔室的侧面的多个线圈。腔室具有：在半导体基板的上方被作为多个线圈之一的第1线圈包围的第1空间区域、与第1空间区域连通的第1气体导入口、被多个线圈中的与第1线圈不同的第2线圈包围的第2空间区域和与第2空间区域连通的第2气体导入口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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