[发明专利]基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管及其制备方法和光电探测器在审
| 申请号： | 202110753627.4 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113437155A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 肖静;李红卫 | 申请（专利权）人： | 泰山学院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L31/112 |
| 代理公司： | 广州专才专利代理事务所(普通合伙) 44679 | 代理人： | 林玲 |
| 地址： | 271000*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管，包括源极、漏极、栅极、介电层、二维黑砷磷层和金属相材料层；所述介电层设于栅极上，所述二维黑砷磷层和金属相材料层均设于介电层上，且所述二维黑砷磷层与金属相材料层连接，所述源极及漏极均设于二维黑砷磷层或者金属相材料层上，且所述二维黑砷磷层未被源极或者漏极完全覆盖；所述源极与漏极之间通过二维黑砷磷层以及金属相材料层连接。本发明基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管改善了半导体与金属电极之间的接触电阻，提升了基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管的光响应效率。本发明还提供了基于金属相材料/二维黑砷磷的晶体管的制备方法和光电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 材料 二维 黑砷磷 晶体管 及其 制备 方法 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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