[发明专利]一种具备栅极自钳位功能的IGBT及其制造方法在审
| 申请号： | 202110709784.5 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113421923A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;朱建泽;杨超;汪淳朋;刘超 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明术语功率半导体技术领域，具体的说是适用于功率领域的一种具备栅极自钳位功能的IGBT及其制造方法。本发明结构与常规IGBT相比还具有栅极金属和第二N型阱区，且栅极金属与部分第二N型阱区上表面接触，从而在本发明结构中引入了寄生二极管结构，包括第二N型阱区与P型阱区构成的PN结，栅极金属与第二N型阱区上表面接触的部分作为寄生二极管的阴极，阴极金属与P型阱区接触的部分作为寄生二极管的阳极。本发明的结构避免了IGBT器件应用高频变换器时栅电压震荡导致器件误开启甚至击穿器件栅电容而使器件失效，以及静电放电时因栅介质击穿导致的器件失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具备 栅极 功能 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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