[发明专利]一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110694517.5 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113526452B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 方续东;方子艳;吴晨;孙昊;赵立波;田边;蒋庄德;邓武彬;高博楠;吴俊侠;王淞立;朱楠 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法，传感器芯片包括外围压力测量单元和中心温度测量单元；压力测量单元由带凸起岛的碳化硅基底，背面刻蚀有圆形背腔形成压力敏感膜片，凸起岛和压力敏感膜片构成了膜岛结构，在凸起岛之外，压力敏感膜片之内，沿着压力敏感膜片根部圆周对称布置四个压阻条；温度测量单元包括基底凸起岛以及布置在其上的薄膜热电偶；当压力作用在芯片上时，压力测量单元通过半导体压阻效应及惠斯通电桥将压力转变成电信号输出，同时温度测量单元通过金属薄膜热电偶塞贝克效应将温度转换成热电势输出，以此完成高温下压力和温度的实时检测，具有耐高温、微型化、灵敏度高、稳定性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mems 复合 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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