[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202110598491.4 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113035858B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 彭博;孟怀宇;沈亦晨 | 申请（专利权）人： | 杭州光智元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/498;H01L21/56;H01L21/60;G06E3/00 |
| 代理公司： | 北京三环同创知识产权代理有限公司 11349 | 代理人： | 赵勇;邵毓琴 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括设置在基板上的EIC芯片和PIC芯片，并且，所述EIC芯片位于所述PIC芯片与所述基板之间；其中，至少一个EIC芯片设置在单个PIC芯片的朝向所述基板的表面上，并且所述EIC芯片通过连接结构安装在所述基板上。本发明的半导体装置优化了PIC芯片的布线并能够抑制因布线过长导致的电压压降，优化了封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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