[发明专利]基于纳米压印法的氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110596614.0 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113314614A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 张磊;胡刚;魏佳邦;窦子凡 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 许志辉 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供基于纳米压印法的氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法，涉及电子器件技术领域，包括由下到上依次设置的衬底、栅电极、氧化物半导体层、和氧化物半导体层上的源电极和漏电极，栅电极与氧化物半导体层之间还设置有绝缘层，绝缘层的表面经过纳米软模板压印技术处理，氧化物半导体层与绝缘层表面匹配；本发明中薄膜的致密性高，成膜性更好，具有良好的绝缘性，同时薄膜晶体管器件的载流子迁移率、电流开关比和沟道层材料分子的取向性均得到了提高，从而薄膜晶体管器件的性能更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 压印 氧化物 薄膜晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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