[发明专利]存储器电路和写入存储器单元的方法在审
| 申请号： | 202110594595.8 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113380289A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 魏焕昇;沈泽民;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C8/08;G11C7/10;G11C11/56;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了存储器电路和将数据写入存储器单元的方法。存储器电路包括具有多个存储器单元的存储阵列，每个存储器单元包括具有铁电层的栅极结构和与该栅极结构相邻的沟道层，沟道层包括金属氧化物材料。驱动器电路被配置为向存储器单元的栅极结构输出栅极电压，栅极电压在第一写入操作中具有正极性和第一幅度，在第二写入操作中具有负极性和第二幅度，并将第二幅度控制为大于第一幅度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 写入 单元 方法 | ||
【主权项】：
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