[发明专利]一种半导体芯片的裂片方法及裂片装置在审
| 申请号： | 202110581531.4 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113371989A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 施心星 | 申请（专利权）人： | 苏州镭明激光科技有限公司 |
| 主分类号： | C03B33/033 | 分类号： | C03B33/033;C03B33/08;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京恒博知识产权代理有限公司 11528 | 代理人： | 张晓芳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体芯片的裂片方法及裂片装置，半导体芯片的裂片方法包括：使用第一激光沿着玻璃基板的预设切割区移动，并对玻璃基板的预设切割区进行切割，以在玻璃基板上的预设切割区处形成多个孔洞；使用第二激光沿着玻璃基板的预设切割区移动，并对玻璃基板的预设切割区进行加热处理，以形成多个预定尺寸的芯片颗粒。本申请中，对半导体芯片进行裂片时，预先使用第一激光对玻璃基板进行处理，以在玻璃基板上的预设切割区形成沿预设路径排布的孔洞，随后使用第二激光对玻璃基板进行加热处理，由于预设切割区处的孔洞大大减少了各芯片颗粒之间的连接强度以及提供了稳定的裂片路径，可以大大提升裂片效率和裂片效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 裂片 方法 装置 | ||
【主权项】：
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