[发明专利]基于载流子调控的自旋波场效应晶体管及制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110557067.5 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113345957B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 金立川;徐嘉鹏;宋祥林;张怀武;唐晓莉;钟智勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于载流子调控的自旋波场效应晶体管，属于量子自旋波器件领域。所述自旋波场效应晶体管包括基片，形成于基片上的底电极层和自旋波场效应结构，以及形成于自旋波场效应结构上的顶电极层和微波天线。该器件通过上下电极在垂直方向施加电压，使得半导体薄膜表面出现反型层，该反型层与磁性薄膜中自旋波传播平面密切接触，利用局部电压调整反型层中载流子浓度并对自旋波产生影响，实现对自旋波传输特性的电场调控。本发明中的自旋波器件功耗低、结构简单，与现有技术相比具有稳定可靠的随电场响应优势，半导体薄膜反型层厚度和载流子浓度随电场响应技术十分成熟，实现与现代半导体工艺技术相互兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 载流子 调控 自旋 场效应 晶体管 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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