[发明专利]使用双向双基极双极结型晶体管的开关组合件及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202110540068.9 申请日: 2021-05-18
公开(公告)号: CN113691245A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: A·莫贾布 申请(专利权)人: 理想能量有限公司
主分类号: H03K17/041 分类号: H03K17/041;H03K17/60;H01L29/73
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王允方
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开涉及使用双向双基极双极结型晶体管的开关组合件及其操作方法。一个实例是一种方法,其包括:以第一速率将电荷载流子注入到所述晶体管的上基极中,以所述第一速率的所述注入导致从上集电极‑发射极到下集电极‑发射极通过所述晶体管的电流流动,且所述电流流动导致跨所述上集电极‑发射极及所述下集电极‑发射极测量的第一电压降;及接着,在所述晶体管的第一导电周期结束之前的预定时间段内,以低于所述第一速率的第二速率将电荷载流子注入到所述上基极中,以所述第二速率的所述注入导致跨所述上集电极‑发射极及所述下集电极‑发射极测量的第二电压降,所述第二电压降高于所述第一电压降;及接着在所述导电周期结束时使所述晶体管不导电。
搜索关键词: 使用 双向 基极 双极结型 晶体管 开关 组合 及其 操作方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于理想能量有限公司,未经理想能量有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110540068.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 带外置驱动电压控制的MOS管电路-202310920226.2
  • 刘胜利 - 深圳市凌鑫电子有限公司
  • 2023-07-25 - 2023-10-10 - H03K17/041
  • 本发明公开了一种带外置驱动电压控制的MOS管电路,包括第一磁隔离电路和MOS管驱动电路,第一磁隔离电路包括第一磁隔离器,第一磁隔离器的第一信号输入端与第一输入控制信号连接,以将第一输入控制信号进行磁隔离输出;MOS管驱动电路包括逻辑驱动器,逻辑驱动器的信号输入端用于在第二输入控制信号和/或第一磁隔离器的第一隔离输出信号的作用下,输出高低电平逻辑驱动信号,以驱动充放电MOS管QC1的导通或截止。如此,通过第一磁隔离器可将控制器输出的第一输入控制信号隔离输出,相比传统的光电隔离大大降低系统功耗,加快了控制响应速度。且通过逻辑驱动器的输出信号为高低电平逻辑驱动信号。可实现对充放电MOS管QC1的导通或者截止的快速驱动控制。
  • 集成电路、驱动电路及其操作方法-201910696580.5
  • 蔡铭宪 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-07-30 - 2023-10-10 - H03K17/041
  • 电路包括耦合到电源电压节点的保护电路,该电源电压节点被配置为具有电源电压电平,保护电路被配置为在电源电压电平等于或大于阈值电压电平时,生成具有第一逻辑电压电平的第一信号,并且在电源电压电平小于阈值电压电平时,生成具有第二逻辑电压电平的第一信号。栅极驱动器接收第一信号和第二信号,并且当第一信号具有第一逻辑电压电平时,基于第二信号输出第三信号,以及当第一信号具有第二逻辑电压电平时,输出具有第一或第二逻辑电压电平中预定的一个的第三信号。本发明的实施例还涉及集成电路、驱动电路及其操作方法。
  • 半导体功率器件-202210279749.9
  • 王鹏飞;袁愿林;刘磊;王睿 - 苏州东微半导体股份有限公司
  • 2022-03-21 - 2023-09-29 - H03K17/041
  • 本发明属于半导体功率器件技术领域,提供了一种半导体功率器件,包括硅基功率MOSFET和反向二极管;所述硅基功率MOSFET包括源极、漏极、栅极、体二极管和截止二极管,所述体二极管的阴极与所述漏极连接,所述截止二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接,所述截止二极管的阴极与所述源极连接;所述硅基功率MOSFET的源极与所述反向二极管的阳极连接,所述硅基功率MOSFET的漏极与所述反向二极管的阴极连接。本发明提供的半导体功率器件具有快速的反向恢复功能。
  • 一种数字初始化电路-201911370510.7
  • 李林;叶崇光;刘永基;王利民;曾夕;李志芳;蒋宇;温建新 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2019-12-26 - 2023-09-29 - H03K17/041
  • 本发明提供了一种数字初始化电路,包括第一寄存器;计数单元,具有当前存储值,用于接收时钟信号,并当时钟信号每经过一个周期时,将所述计数单元的当前存储值加一以得到一结果值,并利用所述结果值更新所述当前存储值;比较单元,用于将所述计数单元的当前存储值与一预定值进行比较;当所述比较单元确定出所述计数单元的当前存储值等于所述预定值时,所述计数单元对所述当前存储值清零以重新计数,同时所述第一寄存器开始输出初始化信号直至当所述比较单元再次确定出到所述计数单元的当前存储值等于所述预定值时,所述第一寄存器停止输出初始化信号。本发明所提供的数字初始化电路可以控制初始化时间,且抗干扰性较大。
  • 片上电源开关的控制方法-202211642575.4
  • 周祥标;仝传连;陈旭江 - 小华半导体有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-09-22 - H03K17/041
  • 本发明提供一种片上电源开关的控制方法,所述方法包括:芯片的掉电模块设置N个电源开关链,各所述电源开关链包括M个电源开关,且各所述电源开关链打开i个所述电源开关后输出响应信号,其中,所述电源开关包括控制输入端和控制输出端;各所述电源开关链分别连接配置电路,并通过所述配置电路控制其开启;其中,N大于等于2,M大于等于1,i大于等于1小于等于M。通过本发明解决了现有的掉电模块上电时间响应慢的问题。
  • 一种具备MOSFET串联支路的固态切换开关-202310613264.3
  • 邱方驰;陈晨;骆守康;叶枫舒;陈潇;彭毅;杨群;吴子君;董家睿;张宁 - 深圳供电局有限公司
  • 2023-05-26 - 2023-09-15 - H03K17/041
  • 本发明提供一种具备MOSFET串联支路的固态切换开关,设置于主电源和备用电源之间的供电线路上,其由两个及以上的SSTS单元基本结构组成;每一个SSTS单元基本结构均包括一个并联快速开关以及由两个MOSFET场效应管和两个反并联体二极管形成的MOSFET串联支路;并联快速开关设置于供电线路上,其两端与MOSFET串联支路的两端进行并接;该MOSFET串联支路中,两个MOSFET场效应管的漏极与两个反并联体二极管的阴极分别相连后互连在一起,两个MOSFET场效应管的栅极与两个预设的工作电压源分别相连,两个MOSFET场效应管的源极与两个反并联体二极管的阳极分别相连之后并与并联快速开关的两端分别相连。实施本发明,能够降低关断持续时间及导通所需驱动功率。
  • 一种模拟开关电路及其开关控制方法和装置-201811235771.3
  • 何永强;程剑涛;杜黎明;罗旭程;张艳萍 - 上海艾为电子技术股份有限公司
  • 2018-10-23 - 2023-09-15 - H03K17/041
  • 本申请提供了一种模拟开关电路及其开关控制方法和装置,该电路包括NMOS管、控制开关、控制电流源、齐纳二极管、第一开关和第一电流源,且相互连接。其第一开关用于当控制开关被闭合时闭合,并在持续预设时长后断开。当控制开关闭合和第一开关闭合时,不仅控制电流源向栅极注入电流,第一电流源也同时向栅极注入电流,提高了栅极达到嵌位电压的速度,从而使该模拟开关电路的开启速度大为提高,从而能够使该模拟开关电路满足对开启时间有较高要求的应用场景。
  • 一种充电加速关断电路-202320065486.1
  • 池俊芸 - 惠州市佰铭诚电子有限公司
  • 2023-01-04 - 2023-09-05 - H03K17/041
  • 本实用新型涉及电子电路技术领域,具体公开了一种充电加速关断电路,所述电路包括:驱动开关模块、降压模块、加速关断模块和充电MOS模块;所述驱动开关模块包括第一开关单元、第二开关单元、第一二极管和第二二极管,所述第一开关单元连接第二开关单元,所述第二开关单元连接降压模块和第一二极管,所述第一二极管连接第二二极管和加速关断模块,所述第二二极管和加速关断模块均连接充电MOS模块;本实用新型通过降压模块输出稳定的驱动电源,并通过驱动开关模块驱动充电MOS模块的关断,在关断瞬间,加速关断模块能够达到快速关断充电MOS模块的目的,大大提升充电回路的安全性和可靠性。
  • 一种GaN上电时序控制电路-202321262862.2
  • 庞辉;张志军;王一谨;李庆;徐炜 - 西安思丹德信息技术有限公司
  • 2023-05-23 - 2023-08-29 - H03K17/041
  • 本实用新型公开了一种GaN上电时序控制电路,负压生成电路包括第一负压芯片和第二负压芯片,第一负压芯片和第二负压芯片分别输出负压‑2.5V和‑5V,并且均开漏输出PowerGood信号,逻辑门电路包括两个逻辑非门和一个逻辑与门,第一负压芯片和第二负压芯片PowerGood信号输出端分别连接两个逻辑非门输入端,两个逻辑非门输出端均连接逻辑与门输入端;漏压开关电路包括NPN三极管和PMOS管,逻辑与门输出端连接NPN三极管的基极,发射极接地,集电极连接PMOS管的栅极和源极,PMOS管的漏极连接GaN功放的漏极。在功放模块调试过程不需要手动控制上电时序,满足GaN功放上电时序要求。
  • 一种支持两路光伏组件不同控制方式的快速关断器及系统-202310146828.7
  • 曹建华;冯成;杨民键;托合提;柴鸿博;李佳 - 上海劭能新能源科技有限公司
  • 2023-02-22 - 2023-08-22 - H03K17/041
  • 本发明涉及光伏发电及通讯技术领域,具体涉及到一种支持两路光伏组件不同控制方式的快速关断器及系统。其包括:四个输入端口和两个输出端口,输入端口分别与第一/第二光伏组件的正负极输出连接;输出端将组件的输出串联在功率总线上;第一/第二开关单元,分别设置在第一/第二光伏组件的负极和正极输出线路上;其中第一光伏组件的负极与第二光伏组件的正极串联;逻辑控制单元,用以控制第一/第二开关单元的导通与关断;快速开关单元和驱动单元,分别与第一/第二开关单元耦接,由逻辑控制单元通过其来分别控制第一/第二开关单元的导通与关断;该快速关断器既能满足相关法规对关断后的安全电压输出要求,又能降低两路控制的总体设计成本。
  • 信号控制电路及驱动信号产生电路-201910857807.X
  • 薛学范;马超;张伟;孙玉标;郑欣 - 上海智浦欣微电子有限公司
  • 2019-09-11 - 2023-08-18 - H03K17/041
  • 本发明提供一种信号控制电路,包括:第一反相器、充放电电路、迟滞比较器、第一与非门、锁存器、第二与非门;其中,第一反相器用于接收预设输入信号;所述迟滞比较器的同相输入端与所述充放电电路的输出端连接;所述第一与非门的第一输入端与所述第一反相器的输出端连接;所述第一与非门的第二输入端与所述迟滞比较器的输出端连接,所述第一与非门的输出端与所述锁存器的输入端连接;所述第二与非门的第一输入端与所述第一与非门的输出端连接,所述第二与非门的第二输入端与所述锁存器的输出端连接,所述第二与非门的输出端与所述充放电电路的输入端连接。本发明在满足下级电路不同占空比需求的同时提高下级电路运行稳定性。
  • 一种可快速开启和关闭的MOS管驱动电路-202310605407.6
  • 刘刚;谢峰;赵智星;詹海峰;胡宪权;万威 - 湖南炬神电子有限公司
  • 2023-05-26 - 2023-08-15 - H03K17/041
  • 本发明公开了一种可快速开启和关闭的MOS管驱动电路,包括MOS管Q1、芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、PFC储能电感L1和电感L2。本发明提出了一种更高效节能的驱动MOS管开关电路,可以提高开关电源MOS管的瞬时驱动电流,从而可以提升其开关速率,使电路在AC‑DC转换过程中,热损耗更低,能效利用率更高。
  • 基于二级钳位的瞬变电磁仪快速关断电路-202310567001.3
  • 吴朝俊;熊林海 - 西安工程大学
  • 2023-05-18 - 2023-08-11 - H03K17/041
  • 本发明公开了基于二级钳位的瞬变电磁仪快速关断电路,包括全桥逆变电路,全桥逆变电路的发射线圈两端并联有一级钳位电路,全桥逆变电路的逆变桥臂上下两端连接有二级钳位电路。本发明具有两级钳位吸收电路,第一级负责快速吸收尖峰电压,第二级负责吸收剩余的电流,该电路与其他电路相比,可以实现更快的关断速度,更小的拖尾电流,对于推动瞬变电磁仪的浅层应用有着很大的作用。
  • 一种自举电路、电子电路及电子设备-202310567769.0
  • 丁齐兵 - 广东鸿翼芯汽车电子科技有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-08-08 - H03K17/041
  • 本发明提供了一种自举电路、电子电路及电子设备,该自举电路包括环路调节模块、充电辅助单元、输出单元、输出电压端;输出单元的第一端接电源端,环路调节模块的第一端及第二端分别耦接至输出单元的第二端及第三端,外置电容耦接至输出单元与输出电压端之间,充电辅助单元的第一端及第二端分别耦接至环路调节模块的第三端与输出单元的第三端;当输出电压端的电位从高电位跳变成低电位时,环路调节模块为所述输出单元充电,所述充电辅助单元加快所述输出单元的导通;且在输出单元导通后,环路调节模块用于稳定输出单元的输出电压;当输出电压端的电位从低电位跳变到高电位时,环路调节模块用于关断输出单元,以防止输出电压端向电源端倒灌电流。
  • 一种开关电路及多路选择器-202310590345.6
  • 周立人 - 韬润半导体(无锡)有限公司
  • 2023-05-24 - 2023-08-08 - H03K17/041
  • 本发明公开了一种开关电路及多路选择器,其中开关电路包括:控制电压信号,用于向控制开关电路提供电压信号来控制控制开关电路的开启或关闭;控制开关电路,用于当接收到高电平信号时,控制开关电路处于开启状态,开关传输电路导通;当接收到低电平信号时,控制开关电路处于关闭状态,开关传输电路不导通;开关传输电路,一输入端接开关控制电路,另一输入端接电压输入信号,电压输入信号为宽频模拟信号,输出端输出与输入相同的宽频模拟信号或高阻态;当控制开关电路处于开启状态时,开关传输电路可传输输出与输入相同的宽频模拟信号;当控制开关电路处于关闭状态时,开关传输电路输出为高阻态。本发明通过增加开关控制电路来提高通路带宽和开关切换速度。
  • 一种栅压自举开关电路-202011489552.5
  • 黎飞;王欢;苗澎;曹宇 - 东南大学
  • 2020-12-16 - 2023-08-08 - H03K17/041
  • 本发明公开了一种栅压自举开关电路,包括采样开关管M1、第一NMOS管M2、第二NMOS管M3、第一PMOS管M4、第二PMOS管M5、第三NMOS管M6、第四NMOS管M7、第三PMOS管M8、第四PMOS管M9、第五NMOS管M10、第六NMOS管M11、第五PMOS管M12、第六PMOS管M13、第七PMOS管M14、第七NMOS管M15、第八NMOS管M16、第一电容C1、自举电容Cb、负载电容Cs;本发明使采样开关管M1、第一NMOS管M2和第二PMOS管M5更快导通的同时降低了其导通电阻;断开了采样开关管M1与多个MOS管的连接,使得寄生电容明显减小,提升了采样开关的带宽。
  • 一种基于旁路辅助的瞬态关断电路-202310486728.9
  • 胡伟波;杨尚争;赵广澍;任佳锐;吴笛扬;赵建伟 - 江苏谷泰微电子有限公司
  • 2023-05-04 - 2023-08-01 - H03K17/041
  • 本发明公开了一种基于旁路辅助的瞬态关断电路,包括关断电路以及与关断电路连接的旁路辅助结构,所述关断电路与旁路辅助结构构成独立的关断控制路径;所述关断电路中MN4关断,所述旁路辅助结构中,VCC经过MP8,再经过MP4传到PDRV节点,从而关断MP6。本发明提供一种基于旁路辅助的瞬态关断电路,通过在关断控制路径中设置旁路辅助结构来辅助关断电路,从而避免关断控制路径在低压场景下发生关断电路失效以及反向漏电的情况。
  • 一种全固态纳秒级高压脉冲开关-202310529881.5
  • 马雷;周子文;李易繁;刘朝君;王润雨 - 天津大学
  • 2023-05-11 - 2023-07-25 - H03K17/041
  • 本发明公开一种全固态纳秒级高压脉冲开关,由外部信号输入接口、低压信号处理电路、低压驱动电路、变压器隔离驱动电路、栅极驱动电路、高压端MOS管开关电路组成;所述外部信号输入接口用于接收外界触发信号;所述低压信号处理电路与外部信号输入接口与低压驱动电路相连接,用于将输入信号处理为低压驱动电路触发信号;所述低压驱动电路用于为变压器隔离驱动电路提供输入信号;所述变压器隔离驱动电路用于在高压端与低压端间传输驱动信号;所述栅极驱动电路用于控制MOS管栅极的开启和关闭;所述MOS管串联开关电路用于输出高压脉冲;本发明利用两组磁环变压器相结合的隔离驱动方法解决了磁环变压器无法传输长脉宽信号的问题,同时利用MOS管驱动芯片与MOS管联用两级驱动的方法大大增强了驱动电路的驱动能力。
  • 一种MOS管控制电路及LNA单级放大装置-202310402581.0
  • 田新城 - 芯睿微电子(昆山)有限公司
  • 2023-04-17 - 2023-07-14 - H03K17/041
  • 本申请实施例提供了一种MOS管控制电路及LNA单级放大装置。控制电路包括:电容C与主电路MOS管的栅极连接,偏置电阻R一端与主电路MOS管MN的栅极连接且另一端接入偏置电压;电压控制型开关MP和偏置电阻R并联;电平边沿检测电路,接入使能信号EN且电平边沿检测电路的输出端连接电压控制型开关MP的控制端;电平边沿检测电路用于在检测到使能信号EN的预设边沿时,输出控制信号导通电压控制型开关MP预设时间,使得偏置电阻R短路预设时间,主电路MOS管的栅极的电位快速变化。本申请实施例解决了传统的在电容C连接在MOS管的栅极且电容和电阻形成的充放电结构,导致MOS管的关断和开启需要较长的时间的技术问题。
  • 一种高速中断开关模块及开关-202223564276.1
  • 毛文斌;顾建军;张乐;黄凤翔 - 上海普锐马电子有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-07-14 - H03K17/041
  • 本实用新型涉及一种高速中断开关模块及开关,所述开关模块用于控制电源模块与负载之间的通断,所述开关模块包括:接收触发信号的光开关U1;所述光开关U1的输出端一路经过第一跟随器后高电平驱动第一开关电路;所述光开关U1的输出端的另一路依次经过第二跟随器、反向器和延时器后低电平驱动第二开关电路;所述第一开关电路的高端与电源模块连接,低端与负载连接;所述第二开关电路的高端与负载连接,低端接地。与现有技术相比,本实用新型能够满足开关的上升和下降时间均满足小于1us的要求。
  • 一种具有快速开启功能的GaN驱动器-202210202824.1
  • 李俊宏;罗建鑫 - 电子科技大学
  • 2022-03-03 - 2023-06-20 - H03K17/041
  • 本发明属于电子电路技术领域,涉及一种具有快速开启功能的GaN驱动器。是基于横向绝缘栅多模式晶体管工作在强导通状态时,其钳位能力将阳极至阴极之间的电压钳位在低于GaN器件的栅极阈值电压和大电流这一特点,配合一个用于提供上拉电流的PMOS管、一个下拉NMOS管,实现GaN功率器件的快速开启和关闭。当扰动耦合到低侧时,基于横向绝缘栅多模式晶体管的大电流能力和阳极至阴极钳位能力,保证驱动电路不受到功率级的串扰;在面对电压尖峰问题时,基于横向绝缘栅多模式晶体管的钳位能力,通过在开启信号到来之前增加一个预充电阶段来控制电压尖峰,相较于传统开启信号到来之后才开始驱动的方案,具有更小的尖峰。
  • 一种加速开通及关断电路-202223596449.8
  • 贺云超;任素云;戴清明;尹志明 - 惠州市蓝微电子有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-06-20 - H03K17/041
  • 本实用新型涉及电子电路技术领域,具体公开了一种加速开通及关断电路,包括驱动芯片、第一晶体管、电池包和加速开通关断模块;所述加速开通关断模块包括第一电阻、加速开通开关单元和加速关断开关单元;所述第一晶体管的D极连接电池包的正极B+和加速开通开关单元,所述加速开通开关单元连接驱动芯片的信号输出端和第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端连接第一晶体管的G极;所述第一晶体管的S极连接加速关断开关单元和输出正端P+,所述加速关断开关单元连接驱动芯片的信号输出端和第一电阻的第一端;本实用新型能够快速的开通和关断第一晶体管,使第一晶体管开通和关断损耗减少,从而提高效率和使用安全性。
  • 一种驱动控制电路-202310233083.8
  • 陈正卫 - 迈思普电子股份有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-06-13 - H03K17/041
  • 本发明涉及电子电路技术领域,具体涉及一种驱动控制电路,包括隔离器件、放电电阻R1、比较模块、开关管Q1、开关管Q2、开关管Q3、供电电源、电源端口、第一端口、第二端口以及第三端口。本发明通过对驱动信号进行检测比较和控制,能够有效解决驱动信号下降沿不陡峭,开关管关断速度缓慢,以及驱动信号经过转换传输而发生占空比偏差大的问题,并能满足高精度控制要求,减小开关损耗,降低开关管散热要求及成本,提高工作频率及效率。
  • 一种导通电路和红外发射电路-202222568580.7
  • 杨卓成 - 宁波奥克斯电气股份有限公司;奥克斯空调股份有限公司
  • 2022-09-26 - 2023-06-09 - H03K17/041
  • 本申请实施例提供一种导通电路和红外发射电路,涉及脉冲控制技术领域。导通电路包括开关管、第一电阻和第一电容。开关管的控制极连接第一电阻的第一端,第一电阻的第二端用于连接PWM端口,第一电容连接于第一电阻的第一端和第二端之间。开关管的第一极用于连接工作组件,第二极用于接地。当PWM端口从低电平到高电平的瞬间,由于第一电容在上电瞬间相当于短路,于是第一电阻就被短路了,使开关管控制极导通波形爬升时间变短,开关速度快。
  • 一种PMOS栅极驱动电路-202223455965.9
  • 周龙鹏 - 成都晨电智能科技有限公司
  • 2022-12-23 - 2023-06-06 - H03K17/041
  • 本申请涉及电子电路技术领域,公开了一种PMOS栅极驱动电路。PMOS栅极驱动电路包括输入输出模块、控制模块、上拉提升模块;其中,输入输出模块包括电压输入端和电压输出端;控制模块包括信号输入端和信号输出端,信号输出端和电压输出端连接;控制模块被设置为在信号输入端接收到第一控制电压时,信号输出端与地导通;在信号输入端接收到第二控制电压时,控制模块断开;上拉提升模块的输入端与所述信号输入端连接,上拉提升模块的输出端和所述电压输出端连接;上拉提升模块在所述输入端接收到的所述第一控制电压转换为所述第二控制电压时,所述输出端输出上拉电压;本申请的PMOS栅极驱动电路实现PMOS的快速开关,提高了开关频率。
  • 一种栅极驱动电路-202111142370.5
  • 周泽坤;吴徽;彭栎郴;王世杰;王卓;张波 - 电子科技大学
  • 2021-09-28 - 2023-05-26 - H03K17/041
  • 本发明属于模拟集成电路技术领域,具体涉及一种栅极驱动电路。本发明的电路克服了传统的微分电路功耗高,误差大的缺点。本发明提出一种可实现百分百占空比的高侧驱动电路结构,采用了片内集成电容的电荷泵驱动,并利用高频振荡器为电荷泵电容进行周期的充电,从而实现高侧功率NMOSFET的全周期开启。本发明采用片内集成电容电荷泵驱动,有效的避免了片外自举电容所需的最小关断时间,从而可以实现百分百占空比即高侧功率NMOSFET的全周期开启,从而提高输出电压的工作范围以及提高瞬态响应速度。
  • 射频开关电路及射频芯片-202310115790.7
  • 郭嘉帅;吉博 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2023-01-31 - 2023-05-16 - H03K17/041
  • 本发明提供了一种射频开关电路及射频芯片,射频开关电路包括依次电连接的供电单元、驱动单元、控制单元、开关单元和信号输出端;控制单元包括第一开关、第二开关、第三开关和电阻,第一开关的第一端连接驱动单元的正电压输出端,第二开关的第一端连接驱动单元的负电压输出端,第一开关的第二端和第二开关的第二端连接,并通过串联电阻后连接至开关单元的输入端,第三开关与电阻并联;控制单元用于根据预设的控制时序实现第一开关、第二开关及第三开关的开启/关闭状态,以实现开关单元的开启/关闭状态。本发明的射频开关电路及射频芯片开关切换速度快,适用范围广。
  • 射频开关的辅助控制电路以及射频开关的逻辑转换电路-202310192502.8
  • 陈忠学;赵奂 - 康希通信科技(上海)有限公司
  • 2023-03-02 - 2023-05-12 - H03K17/041
  • 本申请实施例提供的射频开关的辅助控制电路以及射频开关的逻辑转换电路,包括上拉模块、下拉模块、复位模块、第一电容、第二电容以及射频晶体管。其中,上拉模块可以快速上拉射频晶体管的栅极的电位,从而可以使射频晶体管快速打开。另外,下拉模块可以快速下拉射频晶体管的栅极的电位,从而可以使射频晶体管快速关闭。因此,采用本申请实施例的射频开关的辅助控制电路可以快速使射频晶体管快速打开以及关闭,而射频晶体管作为控制逻辑信号传输的射频开关,射频晶体管的打开关闭速度得到了提升,即相当于射频开关的逻辑信号转换速度得到了提升。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top