[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110494680.7 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN114496982A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 摩尔·沙哈吉·B;萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包含第一介电层位于元件基底层之上，第一介电层有具第一侧壁的第一开口；第一内连部延伸通过第一开口；以及覆盖层位于第一内连部的上表面之上，其中覆盖层包含第一金属、碳、与氮。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110494680.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
