[发明专利]一种高性能BaSnO3在审

专利信息
申请号: 202110492923.3 申请日: 2021-05-07
公开(公告)号: CN113066858A 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 姚建可;唐杰;汤皎宁 申请(专利权)人: 深圳戴尔蒙德科技有限公司
主分类号: H01L29/24 分类号: H01L29/24;H01L29/43;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市福田区福保街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种高性能BaSnO3基透明导电薄膜和薄膜晶体管及其制备技术,属于新型显示材料技术领域,该技术采用阴极电弧法,以BaSnO3氧化物靶或BaSn合金靶进行制备;首先,本发明公开了制备高性能BaSnOx透明导电薄膜和薄膜晶体管有源层。其次,公开了在玻璃基底原位生长得到高电导率BaInSnOx透明导电薄膜或高迁移率BaInSnOx有源层;再用等离子体后处理或准分子激光退火薄膜;所得薄膜电导率将大于103S/cm,可以作为TFTs源/漏电极应用。最后还公开了以上述工艺制备得到BaInSnOx有源层,制备共面同质结底栅结构TFTs,激光退火制备底栅结构TFTs和自对准底栅结构TFTs的工艺,上述三种TFTs的场效应迁移率将大于10cm2/V.s,并具有优异的热稳定性,使得BaSnO3基薄膜可替代InGaZnO4薄膜,在TFTs和新型显示器中得到应用。
搜索关键词: 一种 性能 basno base sub
【主权项】:
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