[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110455099.4 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113192954B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 颜逸飞 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，衬底具有存储单元区、外围电路区以及位于存储单元区及外围电路区之间的交界区；多条位线位于衬底上且沿第一方向间隔排布，并从存储单元区沿第二方向延伸至交界区内；多条虚拟线位于交界区的衬底上，一条虚拟线与一条位线的端部对接且沿第二方向对齐，每条虚拟线包括依次堆叠于衬底上的第一绝缘层和第二绝缘层。本发明中，第一绝缘层底部的横向宽度大于顶部的横向宽度，通过增加虚拟线底部的宽度增强虚拟线的强度，防止虚拟线由于高度和宽度之比较大发生倒伏，提高了器件的性能和稳定性；并且，由于只增加了虚拟线底部的宽度，不会影响器件的各项参数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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