[发明专利]一种生长CZT单晶锭的方法在审
| 申请号： | 202110453520.8 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113512762A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 庞昊;谢雨凌 | 申请（专利权）人： | 合肥庞碲新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B11/00;C04B41/85 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 刘勇 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经济技术开发*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长CZT单晶锭的方法，属于半导体材料制造工艺技术领域，该种生长CZT单晶锭的方法，包括以下步骤：步骤A、将无定形无定形三氧化二硼和微米级石墨粉质量比混合形成混合浆料；步骤B、将混合浆料以刷浆法或脉冲电弧放电沉积法均匀涂覆在热解氮化硼坩埚内壁上；步骤C、将碲化锌多晶体合成料置于热解氮化硼坩埚内放肩区，并在籽晶区放入籽晶，然后将热解氮化硼坩埚放入石英容器内，加热熔融、冷却、CZT单晶锭生长，生长完成后获得一种CZT单晶锭。且本发明将无定形三氧化二硼和石墨粉混合形成混合浆料涂覆在热解氮化硼坩埚内壁上，使得生长平面和切割面的夹角小于4°，减小CZT衬底片上不同区域的Zn元素含量波动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 czt 单晶锭 方法 | ||
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- 本发明公开了一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置，该方法包括：利用PBN坩埚作为载体，在PBN坩埚内进行高温合成，实现碲锌镉多晶体材料的制备；同时为防止高温合成条件下材料发生化学反应导致材料溢出，增加高强度密封盖，控制空腔Cd压，防止坩埚炸裂；以一定的起始角度熔化材料，使材料充分发生反应；设定一定的摇摆角度将材料混合均匀，最终达到形成多晶晶锭的目的。装置包括：炉管、石英坩埚、垫棉、石英塞、碲锌镉材料、PBN坩埚、密封盖、合成炉炉体、保温材料及加热炉丝；PBN坩埚放置在石英坩埚内，在炉体中放入多段加热炉丝的炉管。本发明避免了材料与石英管的直接接触，可实现不换管生长，满足低位错缺陷碲锌镉晶体的生长条件要求。
- 一种碲锌镉籽晶的制备装置和方法-202011157508.4
- 赵文;姜军;陈少璠;孔金丞;赵增林;庹梦寒;刘永传;李增寿;蔡春江;贺政;唐清云 - 昆明物理研究所
- 2020-10-26 - 2022-05-13 - C30B29/48
- 本发明公开了一种碲锌镉籽晶的制备装置和方法。包括籽晶生长坩埚本体、坩埚支架、石英安砙、晶体生长炉、石英安砙支撑杆和加热器。在籽晶生长坩埚本体中装入一定配比的碲锌镉材料后一同放置于坩埚支架内部的蜂窝状孔洞中，然后一同装入到石英安砙内，经抽真空密封烧结后，将石英安砙放置在晶体生长炉内的石英安砙支撑架上，通过控制晶体生长炉的加热器，使炉体内的温场满足碲锌镉晶体生长所需温场，并通过外来机械设备移动石英安砙支撑架，使碲锌镉材料由高温区向低温区缓慢移动，从而移动晶体生长固液界面，实现碲锌镉单晶的生长。本发明相比于传统的手工打磨法，在后续的籽晶引晶过程中具有天然的生长优势方向，避免了人工打磨带来的杂质影响。
- 全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法-202011157556.3
- 姜军;陈少璠;赵文;庹梦寒;袁绶章;蔡春江;赵增林;刘永传;唐清云;姬荣斌 - 昆明物理研究所
- 2020-10-26 - 2022-05-13 - C30B29/48
- 一种全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法，包括晶体生长炉炉体、背景加热单元、不锈钢炉、生长坩埚、多段全向加热装置、支撑装置及温度控制器；晶体生长炉设置有夹层，夹层中沿竖直方向装有多个背景加热单元；在不锈钢炉的内腔放置供晶体生长的生长坩埚，该生长坩埚放置于支撑装置上并能够随支撑装置一起沿竖直方向运动；在不锈钢炉内腔壁位于晶体结晶位置处设置有呈水平环状的多段全向加热装置，多段全向加热装置实现碲锌镉晶体生长过程中固液界面全向温度均匀的精确控制，使得晶体生长单晶率得到提升。本发明采用分段全向加热装置，能够提供均匀的全向温场，提高了晶体生长过程中的温度稳定性，为制备大单晶提供了技术保障。
- 硒化锌的生长方法-202011041984.X
- 于金凤;朱刘 - 安徽中飞科技有限公司
- 2020-09-28 - 2022-02-22 - C30B29/48
- 本公开提供了一种硒化锌的生长方法包含步骤：a.将锌置于化学气相沉积炉中的坩埚中，氩气置换沉积炉中的空气，抽真空，真空度为3000Pa‑10000Pa；b.将化学气相沉积炉中的沉积腔室升温至沉积温度700℃‑800℃，将坩埚升温至蒸发温度650℃‑700℃；c.分别向坩埚、沉积腔室中通气进行硒化锌的气相沉积反应，将氩气通入到坩埚中，将氩气和硒化氢通入到沉积腔室中，使得硒化锌的沉积速率为50‑150μm/h；d.反应结束后，维持与沉积过程中相同的压力和气体流量，将沉积腔室继续升温50℃‑170℃，进行首次恒温，之后降温至500℃‑650℃的范围，进行再次恒温，然后降至室温，得到硒化锌产品。本公开提供的硒化锌的生长方法可以生产大尺寸、加厚尺寸、高光学性能的多晶硒化锌材料。
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