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[发明专利]碲锌镉晶片筛选方法-CN202010111694.1有效
发明人： 范叶霞;徐强强;刘江高;侯晓敏;吴卿 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N23/20091 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶片筛选方法，所述方法包括：利用第一腐蚀液对切割后的碲锌镉晶片进行表面腐蚀，观察表面腐蚀后的碲锌镉晶片并去除第一等级缺陷部分；利用X射线形貌仪观察去除第一等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第二等级缺陷部分；利用红外显微镜观察去除第二等级缺陷部分后的碲锌镉晶片，并去除第三等级缺陷部分；利用第二腐蚀液对去除第三等级缺陷部分后的碲锌镉晶片进行二次表面腐蚀，观察二次表面腐蚀后的碲锌镉晶片，并去除第四等级缺陷部分，以获得第一合格碲锌镉晶片。采用本发明，有效地避免了大部分缺陷引入碲锌镉晶片中，从而提了高晶片的质量，解决了大尺寸晶片加工过程中由于存在缺陷导致加工效率低下的问题。
碲锌镉晶片筛选方法

[发明专利]一种制备锌组分可调且分布均匀的碲锌镉衬底的方法-CN202210318337.1有效
发明人： 范叶霞;刘江高;李乾;李振兴;折伟林;王丛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备锌组分可调且分布均匀的碲锌镉衬底的方法，本发明是采用真空高温热处理温场与源控制的衬底高温热处理工艺，并与衬底磨抛工艺相结合的设计，来实现碲锌镉衬底中Zn组分的成分设计和组分均匀性分布，从而有效解决现有碲锌镉衬底中Zn组分被动选择性即不可设计性和组分分布不均匀的问题。
一种制备组分可调分布均匀碲锌镉衬底方法

[发明专利]碲锌镉晶体配料方法-CN202010535426.2有效
发明人：刘江高;徐强强;吴卿;范叶霞;侯晓敏;刘铭 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体配料方法，所述方法包括：设定容器中自由空间的体积分数；基于自由空间的体积分数以及容器的体积，计算待配碲锌镉晶体的质量；基于待配碲锌镉晶体的质量，根据待配碲锌镉晶体中各组分的质量分数关系，依次获取第一质量的锌、第二质量的镉、以及第三质量的碲，以配制碲锌镉晶体。采用本发明，不仅可以简化碲锌镉晶体配料方法的过程，还可以保证在容器体积变化的基础上每根碲锌镉晶体中碲、锌、镉三种组分比例保持一致，碲锌镉晶体晶体内部夹杂缺陷的尺寸(基本小于10μm)基本稳定，夹杂缺陷的密度也基本稳定。
碲锌镉晶体配料方法

[实用新型]一种衬底放置装置-CN202022743000.4有效
发明人：徐强强;范叶霞;吴卿;徐长彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种衬底放置装置，包括衬底托(2)；衬底托(2)上设置有至少一个沿衬底托(2)表面向内凹陷的衬底放置区(1)，衬底放置区(1)用于容置衬底，衬底放置区(1)的形状与衬底大小相匹配；在衬底放置区(1)与衬底托(2)的边界上还至少设置有一个铲片区(5)，铲片区(5)用于配合铲片工具将衬底从衬底放置区(1)中取出，在衬底放置区(1)的每个边角设置有边角保护区(3)。本实用新型实施例通过衬底托上设置有至少一个沿衬底托表面向内凹陷的衬底放置区，衬底放置区用于容置衬底，由此实现了衬底的分片保存，保证衬底材料在转移运输过程中的完整性以及表面状态的完好。
一种衬底放置装置

[发明专利]一种碲锌镉衬底中无第二相夹杂的控制方法-CN202110546790.3在审
发明人： 范叶霞;徐强强;刘江高;侯晓敏;李振兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉(CdZnTe)衬底中第二相夹杂的控制方法。包含一种原材料配比的设计和晶片退火处理方法，二者合一形成完整的技术方案。区别于传统的第二相夹杂改进方法，该方法利用原料精确配比设计，控制晶体中的第二相夹杂的种类、尺寸和密度，并利用晶片退火工艺对衬底进行后处理，可以实现衬底中无第二相夹杂，处理后的碲锌镉衬底质量得到极大地提升。
一种碲锌镉衬底第二夹杂控制方法

[发明专利]一种用于碲锌镉多晶料摇摆合成的热处理炉-CN201811200263.1有效
发明人：刘江高;徐强强;范叶霞;吴卿 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碲锌镉多晶料摇摆合成的热处理炉，设置两温区加热结构，使得温场调节性更强，能够产生一定的温度梯度。在摇摆时，内部熔体组分混合更为均匀，在降温时，合成多晶料的孔洞问题得到了有效抑制。采用了一种将石英安瓿在炉管轴向方向上压实的结构，保证石英安瓿在炉体水平大角度摇摆时不晃动,提升摇摆合成效果和合成效率。此外，安瓿头部一侧的结构件轴向均开孔，以插入了监测热偶，用于炉膛安装初期的调温测温以及摇摆合成时内部温度监控。
一种用于碲锌镉多晶摇摆合成热处理

[发明专利]一种敞口石英安瓿的排气封接装置及方法-CN201711428605.0有效
发明人：徐强强;吴卿;范叶霞;侯晓敏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种敞口石英安瓿的排气封接装置及方法，采用本发明提供的排气封接装置在对石英安瓿进行排气封接的过程中，能够确保石英安瓿具有很好的密封性和高真空度，石英安瓿不会因应力作用而碎裂，同时，内表面镀碳膜的石英安瓿能够有效的对杂质元素进行阻挡，保持了晶体材料的纯度，也避免了Cd与石英安瓿的直接接触，安全可靠，设置的无碳膜接触区域确保了石英安瓿能够被直接封接。
一种敞口石英安瓿排气装置方法

[发明专利]一种VGF单晶炉、加热方法及存储介质-CN201811329041.X在审
发明人：徐强强;范叶霞 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种VGF单晶炉、加热方法及计算机可读存储介质,本发明通过设置可移动加热环，通过该可移动加热环调解界面温度，从而实现对晶体的固液界面进行精确的温控。
单晶炉加热环可移动加热计算机可读存储介质存储介质固液界面晶体的温控调解

[发明专利]锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法-CN201210165698.3无效
发明人： 范叶霞;夏士兴;俞泽民 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法，它涉及一种发光材料及其制备方法。本发明要解决现有LiNbO3:Ho晶体的发光效率低和抗光损伤能力弱的技术问题。本发明材料由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Yb2O3和Ho2O3制成，制备方法如下：称料、混合料、原料的预烧结、引晶、放肩、等径生长、晶体的极化处理，即得锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料。本发明锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料中掺入2mol％～6mol％ZrO时，晶体的抗光损伤能力极大地提高，相对掺入0mol％ZrO的晶体，其抗光损伤能力提高了三个数量级，随着Zr离子浓度的增加，掺杂晶体的上转换发光强度逐渐增强。
锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体转换发光材料及其制备方法

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