[发明专利]半导体热处理设备有效
申请号: | 202110368215.9 | 申请日: | 2021-04-06 |
公开(公告)号: | CN113186514B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 任攀;武鹏科 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体热处理设备,该半导体热处理设备包括管体、位于管体内的晶圆承载装置和注气管以及进气管,注气管位于管体的进气端且位于晶圆承载装置的下方,在沿管体的轴线的正投影方向上,注气管的投影位于管体的投影之内,且位于晶圆承载装置的投影之外;进气管的一端与供气源相连通,进气管的另一端与注气管相连通;注气管间隔开设有两个注气孔组,两个注气孔组之间具有间隔管段,进气管与间隔管段相连通;每个注气孔组均包括有多个注气孔,注气孔在注气管上间隔分布,且注气孔的轴向与气体在注气管内的流动方向所成角度逐渐增大或逐渐减小。上述方案能够解决半导体热处理设备内的气流分布不均匀的问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体 热处理 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的